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1. (WO2015199539) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2015/199539 № do pedido internacional: PCT/NL2015/050463
Data de publicação: 30.12.2015 Data de depósito internacional: 25.06.2015
CIP:
C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/513 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H05H 1/24 (2006.01) ,H01L 21/314 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
16
Revestimento químico por decomposição de compostos gasosos, sem deixar produtos reacionais do material da superfície no revestimento, i.e., processo de deposição química em fase de vapor (CVD)
44
caracterizado pelo método de revestimento
455
caracterizados pelo método utilizado para introdução dos gases na câmara de reação ou para modificação dos fluxos de gás na câmara de reação
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
16
Revestimento químico por decomposição de compostos gasosos, sem deixar produtos reacionais do material da superfície no revestimento, i.e., processo de deposição química em fase de vapor (CVD)
44
caracterizado pelo método de revestimento
50
usando descargas elétricas
513
usando jatos de plasma
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
J
VÁLVULAS DE DESCARGA ELÉTRICA OU LÂMPADAS DE DESCARGA
37
Válvulas de descarga com meios para introduzir objetos ou materiais a serem expostos à descarga, p. ex., para fins de exame ou processamento dos mesmos
32
Válvulas de descarga de enchimento gasoso
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
H
TÉCNICA DO PLASMA; PRODUÇÃO DE PARTÍCULAS ACELERADAS CARREGADAS ELETRICAMENTE OU DE NÊUTRONS; PRODUÇÃO OU ACELERAÇÃO DE FEIXES MOLECULARES OU ATÔMICOS NEUTROS
1
Produção do plasma; Manipulação do plasma
24
Produção do plasma
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
314
Camadas inorgânicas
Requerentes:
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO [NL/NL]; Anna van Buerenplein 1 NL-2595 DA 's-Gravenhage, NL
Inventores:
CREYGHTON, Yves Lodewijk Maria; NL
POODT, Paulus Willibrordus George; NL
SIMOR, Marcel; NL
ROOZEBOOM, Freddy; NL
Mandatário:
JANSEN, C.M.; NL
Dados da prioridade:
14173878.125.06.2014EP
Título (EN) PLASMA SOURCE AND SURFACE TREATMENT METHOD
(FR) SOURCE DE PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SURFACE
Resumo:
(EN) Plasma source and surface treatment method. A plasma source has an outer surface (12), interrupted by an aperture (14) for delivering an atmospheric plasma from the outer surface. A transport mechanism (11) transports a substrate (10) in parallel with the outer surface, closely to the outer surface, so that gas from the atmospheric plasma may form a gas bearing between the outer surface the and the substrate. A first electrode (16a,b) of the plasma source has a first and second surface extending from an edge of the first electrode that runs along the aperture. The first surface defines the outer surface on a first side of the aperture. The distance between the first and second surface increasing with distance from the edge. A second electrode (17) covered at least partly by a dielectric layer (18) is provided with the dielectric layer facing the second surface of the first electrode, substantially in parallel with the second surface of the first electrode, leaving a plasma initiation space on said first side of the aperture, between the surface of the dielectric layer and the second surface of the first electrode. A gas inlet (19a,b) feeds into the plasma initiation space to provide gas flow from the gas inlet to the aperture through the plasma initiation space. Atmospheric plasma initiated in the plasma initiation space flows to the aperture, from which it leaves to react with the surface of the substrate.
(FR) L'invention concerne une source de plasma et un procédé de traitement de surface. Une source de plasma présente une surface extérieure (12), interrompue par une ouverture (14) pour distribuer un plasma atmosphérique depuis la surface extérieure. Un mécanisme de transport (11) transporte un substrat (10) en parallèle avec la surface extérieure, à proximité de la surface extérieure, de sorte qu'un gaz provenant du plasma atmosphérique puisse former un palier à gaz entre la surface extérieure et le substrat. Une première électrode (16a,b) de la source de plasma comporte une première et une seconde surface s'étendant depuis un bord de la première électrode qui s'étend le long de l'ouverture. La première surface délimite la surface extérieure sur un premier côté de l'ouverture. La distance entre la première et la seconde surface augmente avec la distance à partir du bord. Une seconde électrode (17) recouverte au moins en partie par une couche diélectrique (18) est dotée de la couche diélectrique faisant face à la seconde surface de la première électrode, sensiblement en parallèle avec la seconde surface de la première électrode, en laissant un espace d'amorçage de plasma sur ledit premier côté de l'ouverture, entre la surface de la couche diélectrique et la seconde surface de la première électrode. Une entrée de gaz (19a,b) donne sur l'espace d'amorçage de plasma pour former un écoulement de gaz de l'entrée de gaz à l'ouverture, à travers l'espace d'amorçage de plasma. Le plasma atmosphérique amorcé dans l'espace d'amorçage de plasma s'écoule vers l'ouverture, qu'il quitte pour réagir avec la surface du substrat.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)
Também publicado como:
US20170137939EP3161182
Solicitação para indicação da disponibilidade para fins de licenciamento O requerente solicitou da Secretaria Internacional que indique a disponibilidade para fins de licenciamento das invenções reinvidicadas neste pedido internacional.