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1. (WO2015178760) ELECTRODYNAMICS (MEMS) MICRO SPEAKER
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2015/178760 № do pedido internacional: PCT/MY2015/050035
Data de publicação: 26.11.2015 Data de depósito internacional: 20.05.2015
CIP:
H04R 31/00 (2006.01) ,B81C 1/00 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
R
ALTO-FALANTES, MICROFONES, CAPTADORES DE TOCA-DISCOS OU TRANSDUTORES ACÚSTICO ELETROMECÂNICOS SIMILARES; APARELHOS DE SURDEZ; SISTEMAS DE ALTO-FALANTES
31
Aparelhos ou processos especialmente adaptados à fabricação de transdutores ou de seus diafragmas
B OPERAÇÕES DE PROCESSAMENTO; TRANSPORTE
81
TECNOLOGIA DAS MICROESTRUTURAS
C
PROCESSOS OU APARELHOS ESPECIALMENTE ADAPTADOS PARA A FABRICAÇÃO OU TRATAMENTO DE DISPOSITIVOS OU SISTEMAS DE MICROESTRUTURA
1
Fabricação ou tratamento de dispositivos ou de sistemas em ou sobre um substrato
Requerentes:
UNIVERSITI KEBANGSAAN MALAYSIA [MY/MY]; Universiti Kebangsaan Malaysia, UKM Bangi, 43600, MY
Inventores:
YEOP MAJLIS, Burhanuddin; MY
SUGANDI, Gandi; MY
Mandatário:
CHUN MUN, Chong; MY
Dados da prioridade:
PI201470130120.05.2014MY
Título (EN) ELECTRODYNAMICS (MEMS) MICRO SPEAKER
(FR) MICRO-HAUT-PARLEUR DE SYSTÈME MICRO-ÉLECTROMÉCANIQUE (MEMS) D’ÉLECTRODYNAMIQUE
Resumo:
(EN) The present invention provides a method for fabrication of an electrodynamics microelectromechanical systems (MEMS) micro speaker (100). Accordingly, the method includes: a) forming a first silicon wafer, i.e. wafer 1 (200), having a moving parts that serves a actuator system, said moving part includes flexible polyimide diaphragm (204) and micro coil or voice coil (202); b) forming a second silicon wafer, i.e. wafer 2 (300), with back cavity (306) for a seating or supporting a permanent magnet (302); said second silicon wafer includes venting or acoustic hole (304) on its back chamber (206); c) bonding the permanent magnet (302) to the second silicon wafer using adhesive epoxy bonding followed by boding the both wafer 1 (200) and wafer 2 (300) together using adhesive epoxy bonding, to form the complete electrodynamics MEMS micro speaker (100); wherein the flexible polyimide diaphragm (204) is formed by wet and dry etching of the first silicon wafer; such that a thin planar of the micro coil or voice coil (202) is suspended on the flexible polyimide diaphragm (204).
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d’un micro-haut-parleur de système micro-électromécanique (MEMS) d’électrodynamique (100). En conséquence, le procédé consiste : a) à former une première tranche de silicium, c’est-à-dire la tranche 1 (200), ayant une partie mobile qui sert de système d’actionnement, ladite partie mobile comprenant une membrane polyimide souple (204) et une micro-bobine ou une bobine acoustique (202) ; b) à former une seconde tranche de silicium, c'est-à-dire la couche 2 (300), ayant une cavité arrière (306) pour recevoir ou soutenir un aimant permanent (302) ; ladite seconde tranche de silicium comprenant un trou d’aération ou acoustique (304) sur sa chambre arrière (206) ; c) à coller l’aimant permanent (302) sur la seconde tranche de silicium à l’aide d’un collage par colle époxy adhésive suivi par le collage ensemble de la tranche 1 (200) et de la tranche 2 (300) à l’aide d’un collage par colle époxy adhésive, pour former le micro-haut-parleur MEMS d’électrodynamique (100) entier ; la membrane polyimide souple (204) étant formée par une gravure humide ou sèche de la première tranche de silicium ; de telle sorte qu’une surface plane mince de la micro-bobine ou de la bobine acoustique (202) est suspendue sur la membrane polyimide souple (204).
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)