O PATENTSCOPE estará indisponível durante algumas horas por motivos de manutenção em Segunda-feira 03.02.2020 às 10:00 AM CET
Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
Alguns conteúdos deste aplicativo estão indisponíveis de momento.
Caso esta situação persista, estamos ao seu dispor através deFale conosco & Contato
1. (WO2014114447) DETECTOR FOR INFRARED AND/OR THz RADIATION
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2014/114447 № do pedido internacional: PCT/EP2014/000154
Data de publicação: 31.07.2014 Data de depósito internacional: 21.01.2014
CIP:
G01N 21/35 (2014.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
21
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios ópticos, i.e., usando raios infravermelhos, visíveis ou ultravioletas
17
Sistemas nos quais a luz incidente é modificada em concordância com as propriedades do material investigado
25
Cor; Propriedades espectrais, i.e., comparação do material sobre a luz em dois ou mais comprimentos de ondas diferentes ou faixas de comprimento de ondas
31
Investigação das propriedades do material com relação a comprimentos de ondas característicos de elementos ou moléculas específicas, p. ex., espectrometria de absorção atômica
35
usando luz infravermelha
Requerentes:
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27 80686 München, DE
Inventores:
WEBER, Norbert; DE
JUNGER, Stephan; DE
VERWAAL, Nanko; DE
Mandatário:
GAGEL, Roland; Landsberger Str. 480a 81241 München, DE
Dados da prioridade:
10 2013 001 046.222.01.2013DE
Título (DE) DETEKTOR FÜR INFRAROT- UND/ODER THZ-STRAHLUNG
(EN) DETECTOR FOR INFRARED AND/OR THz RADIATION
(FR) DÉTECTEUR DE RAYONNEMENTS INFRAROUGE ET/OU THZ
Resumo:
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft einen Detektor für Infrarot- und/oder THz-Strahlung, der eine Antenne für die Infrarot- und/oder THz-Strahlung und eine gleichrichtende MIM-Tunneldiode mit einer ersten metallischen Schicht (1), einer zweiten metallischen Schicht (2) und einer dazwischen liegenden dielektrischen Schicht (3) für eine Gleichrichtung des über die Antenne empfangenen Signals aufweist. Die erste metallische Schicht (1) ist als Resonator für die Infrarot- oder THz-Strahlung dimensioniert. Die Antenne für die Infrarot- oder THz-Strahlung ist durch den Resonator der ersten metallischen Schicht (1) gebildet. Dadurch wird bei diesem Detektor die Problematik der oberen Grenzfrequenz im THz -Bereich umgangen und der Detektor kann in einem CMOS-Prozess hergestellt werden.
(EN) The present invention relates to a detector for infrared and/or THz radiation, comprising an antenna for the infrared and/or THz radiation and a rectifying MIM tunnel diode with a first metal layer (1), a second metal layer (2) and a dielectric layer (3) lying therebetween for rectification of the signal received via the antenna. The first metal layer (1) is designed as a resonator for the infrared or THz radiation. The antenna for the infrared or THz radiation is formed by the resonator of the first metal layer (1). This detector thus avoids the problem of the upper limit frequency in the THz range and can be produced in a CMOS process.
(FR) La présente invention concerne un détecteur de rayonnements infrarouge et/ou THz, pourvu d'une antenne sensible aux rayonnements infrarouge et/ou THz et d'une diode à effet tunnel de type MIM laquelle sert de redresseur et laquelle comporte une première couche métallique (1), une deuxième couche métallique (2) et une couche diélectrique (3) disposée entre ces dernières, pour ainsi redresser le signal reçu par l'intermédiaire de l'antenne. La première couche métallique (1) est dimensionnée telle qu'elle sert de résonateur au rayonnement infrarouge ou THz. Ladite antenne sensible au rayonnement infrarouge ou THz est formée par le résonateur de la première couche métallique (1). Ainsi, le détecteur selon l'invention est exempt de la proplématique de la fréquence limite supérieure dans le domaine THz, ce qui permet alors de fabriquer ledit détecteur selon un processus de type CMOS.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: alemão (DE)
Língua de depósito: alemão (DE)