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1. (WO2013163433) LASER JOINING DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2013/163433 № do pedido internacional: PCT/US2013/038223
Data de publicação: 31.10.2013 Data de depósito internacional: 25.04.2013
CIP:
B23K 26/20 (2006.01)
B OPERAÇÕES DE PROCESSAMENTO; TRANSPORTE
23
MÁQUINAS-FERRAMENTA; USINAGEM DE METAL NÃO INCLUÍDA EM OUTRO LOCAL
K
SOLDAGEM BRANCA OU DESSOLDAGEM; SOLDAGEM; REVESTIMENTO OU CHAPEAMENTO POR SOLDAGEM; CORTE PELA APLICAÇÃO LOCALIZADA DE CALOR, p. ex.,CORTE POR CHAMA; USINAGEM POR RAIO LASER
26
Operação por feixe de raio laser, p. ex., soldagem, corte, perfuração
20
União, p. ex., soldagem
Requerentes:
ALERE SAN DIEGO, INC. [US/US]; 9975 Summers Ridge Road Dan Diego, CA 92121, US
Inventores:
OLSSON, Erik, Mikael; US
RIVERON, Jonathan; US
TOVAR, Armando, Raul; US
Mandatário:
TAYLOR, Stacy, L.; Dla Piper Llp (US) 4365 Executive Drive, Suite 1100 San Diego, CA 92121-2133, US
Dados da prioridade:
61/638,85026.04.2012US
Título (EN) LASER JOINING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'ASSEMBLAGE AU LASER
Resumo:
(EN) The present invention relates to methods for joining materials as well as articles manufactured using such processes. The invention pertains to a process for joining a first substrate to a second substrate. The process includes irradiating a portion of a first substrate with a laser beam having a first wavelength and intensity sufficient to increase the absorbance of the first substrate to light having a second, different wavelength. The laser beam may carbonize at least a portion of the irradiated portion of the first substrate imparting a higher absorbance to light than non-irradiated portions of the first substrate. A second substrate is then placed in contact with the irradiated portion of the first substrate. The first substrate is then irradiated with a second laser having a second wavelength, different to the first wavelength; with a sufficient intensity to heat and, preferably melt, the irradiated portion of the first substrate.
(FR) L'invention se rapporte à des procédés d'assemblage de matériaux ainsi qu'à des objets fabriqués à l'aide de ces processus. L'invention a trait à un processus qui permet d'assembler un premier substrat avec un second substrat. Ledit processus consiste à exposer une partie d'un premier substrat à un faisceau laser présentant une première longueur d'onde et une intensité suffisante pour accroître l'absorbance du premier substrat quant à une lumière ayant une seconde longueur d'onde, différente de la première. Le faisceau laser peut carboniser au moins une portion de la partie exposée du premier substrat, ce qui confère à cette partie une absorbance quant à la lumière qui est plus élevée que celle des parties non exposées du premier substrat. Un second substrat est alors mis en contact avec la partie exposée dudit premier substrat. Ensuite, ce premier substrat est exposé à un second laser qui présente une seconde longueur d'onde différente de la première, ainsi qu'une intensité suffisante pour chauffer, et de préférence faire fondre, la partie exposée dudit premier substrat.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)