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1. (WO2012004868) CU-NI-SI COPPER ALLOY PLATE WITH EXCELLENT DEEP-DRAW CHARACTERISTICS AND PRODUCTION METHOD THEREOF
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2012/004868 № do pedido internacional: PCT/JP2010/061532
Data de publicação: 12.01.2012 Data de depósito internacional: 07.07.2010
CIP:
C22C 9/06 (2006.01) ,C22C 9/04 (2006.01) ,C22F 1/08 (2006.01) ,H01B 1/02 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01) ,C22F 1/00 (2006.01)
C QUÍMICA; METALURGIA
22
METALURGIA; LIGAS FERROSAS OU NÃO-FERROSAS; TRATAMENTO DE LIGAS OU DE METAIS NÃO-FERROSOS
C
LIGAS
9
Ligas à base de cobre
06
tendo o níquel ou o cobalto como o segundo componente principal
C QUÍMICA; METALURGIA
22
METALURGIA; LIGAS FERROSAS OU NÃO-FERROSAS; TRATAMENTO DE LIGAS OU DE METAIS NÃO-FERROSOS
C
LIGAS
9
Ligas à base de cobre
04
tendo o zinco como o segundo componente principal
C QUÍMICA; METALURGIA
22
METALURGIA; LIGAS FERROSAS OU NÃO-FERROSAS; TRATAMENTO DE LIGAS OU DE METAIS NÃO-FERROSOS
F
MODIFICAÇÃO DA ESTRUTURA FÍSICA DE METAIS NÃO-FERROSOS OU DE LIGAS NÃO-FERROSAS
1
Modificação da estrutura física de metais ou ligas não-ferrosas por tratamento térmico ou por trabalho a quente ou a frio
08
do cobre ou de suas ligas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
B
CABOS; CONDUTORES; ISOLADORES; USO DE MATERIAIS ESPECÍFICOS DEVIDO AS SUAS PROPRIEDADES CONDUTORAS, ISOLANTES OU DIELÉTRICAS
1
Condutores ou corpos condutores caracterizados pelos materiais condutores; Seleção de materiais para condutores
02
consistindo, principalmente, de metais ou ligas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
B
CABOS; CONDUTORES; ISOLADORES; USO DE MATERIAIS ESPECÍFICOS DEVIDO AS SUAS PROPRIEDADES CONDUTORAS, ISOLANTES OU DIELÉTRICAS
13
Aparelhos ou processos especialmente adaptados à fabricação de condutores ou cabos
C QUÍMICA; METALURGIA
22
METALURGIA; LIGAS FERROSAS OU NÃO-FERROSAS; TRATAMENTO DE LIGAS OU DE METAIS NÃO-FERROSOS
F
MODIFICAÇÃO DA ESTRUTURA FÍSICA DE METAIS NÃO-FERROSOS OU DE LIGAS NÃO-FERROSAS
1
Modificação da estrutura física de metais ou ligas não-ferrosas por tratamento térmico ou por trabalho a quente ou a frio
Requerentes:
三菱伸銅株式会社 MITSUBISHI SHINDOH CO., LTD [JP/JP]; 東京都品川区北品川4-7-35 4-7-35, Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo 1408550, JP (AllExceptUS)
櫻井 健 SAKURAI, Takeshi [JP/JP]; JP (UsOnly)
阿部 良雄 ABE, Yoshio [JP/JP]; JP (UsOnly)
斎藤 晃 Saito Akira [JP/JP]; JP (UsOnly)
亀山 嘉裕 KAMEYAMA, Yoshihiro [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventores:
櫻井 健 SAKURAI, Takeshi; JP
阿部 良雄 ABE, Yoshio; JP
斎藤 晃 Saito Akira; JP
亀山 嘉裕 KAMEYAMA, Yoshihiro; JP
Mandatário:
青山 正和 AOYAMA, Masakazu; 東京都台東区秋葉原3-3 アキバビル701 青陽特許事務所 Seiyo Patent Office, 701, Akiba Bldg., 3-3, Akihabara, Taito-ku, Tokyo 1100006, JP
Dados da prioridade:
Título (EN) CU-NI-SI COPPER ALLOY PLATE WITH EXCELLENT DEEP-DRAW CHARACTERISTICS AND PRODUCTION METHOD THEREOF
(FR) PLAQUE D'ALLIAGE DE CUIVRE CU-NI-SI AVEC D'EXCELLENTES CARACTÉRISTIQUES D'EMBOUTISSAGE PROFOND ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 深絞り加工性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板及びその製造方法
Resumo:
(EN) Provided is a copper-nickel-silicon (Cu-Ni-Si) copper alloy that strikes a balance between deep-draw characteristics, thermal ablation resistance plating and spring deflection limit and, in particular, is used in electric and electronic members that have excellent deep-draw characteristics and a Cu-Ni-Si copper alloy production method. The disclosed Cu-Ni-Si copper alloy contains 1.0-3.0 mass% Ni and Si that is ¼ the density of the Ni and the remainder consists of copper and inevitable impurities. Crystal grains within the alloy structure have an aspect ratio (crystal grain minor axis/crystal grain major axis) with an average value of 0.4-0.6. The average value for the grain orientation spread (GOS) of whole crystal grains, measured by electron backscatter diffraction (EBSD) using a scanning electron microscope with an attached backscattered electron imaging system, is 1.2-1.5°. The ratio (Lσ/L) of the total specific grain boundary length (Lσ) of the specific grain boundaries to the total grain boundary length (L) of the crystal grains is 60-70 %. The spring deflection limit is 450-600 N/mm2. At 150 °C and after 1000 hours, the solder had excellent deep draw characteristics and good thermal ablation resistance.
(FR) L'invention concerne un alliage cuivre-nickel-silicium (Cu-Ni-Si) qui présente un bon équilibre entre les caractéristiques d'emboutissage profond, de résistance au décapage thermique d'un revêtement et de limite de flexion d'un ressort, et qui est utilisé en particulier dans des éléments électriques et électroniques qui présentent d'excellentes caractéristiques d'emboutissage profond. L'invention concerne également un procédé de fabrication dudit alliage de cuivre Cu-Ni-Si. Ledit alliage Cu-Ni-Si contient 1,0-3,0 % en masse de Ni et du Si pour le quart de la teneur en nickel, le solde étant du cuivre et les inévitables impuretés. Les grains cristallins de l'alliage présentent un rapport de forme moyen (petit axe/grand axe) de 0,4-0,6. La désorientation moyenne (GOS) de l'ensemble des grains cristallins, mesurée par diffraction d'électrons rétrodiffusés (EBSD) en utilisant un microscope électronique à balayage équipé d'un système d'imagerie par rétrodiffusion, est de 1,2-1,5°. Le rapport (Lσ/L) entre la longueur totale des joints de grains spécifiques (Lσ) et la longueur totale des joints de grains cristallins (L) est de 60-70 %. La limite de flexion d'un ressort est de 450-600 N/mm2. à 150 °C et après 1000 heures, une brasure présente d'excellentes caractéristiques d'emboutissage profond et une bonne résistance au décapage thermique.
(JA)  深絞り加工性、めっき耐熱剥離性、ばね限界値の各特性のバランスがとれており、特に、優れた深絞り加工性を有する電気及び電子部材に使用されるCu-Ni-Si系銅合金及びその製造方法を提供する。 1.0~3.0質量%のNiを含有し、Niの質量%濃度に対し1/4の濃度のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、合金組織中の結晶粒のアスペクト比(結晶粒の短径/結晶粒の長径)の平均値が0.4~0.6であり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定したGOSの全結晶粒における平均値が1.2~1.5°であり、結晶粒界の全粒界長さLに対する特殊粒界の全特殊粒界長さLσの比率(Lσ/L)が60~70%であり、ばね限界値が450~600N/mmであり、150℃で1000時間でのはんだ耐熱剥離性が良好な深絞り加工性に優れたCu-Ni-Si系銅合金板。
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)
Também publicado como:
EP2592164US20130167988CN102985572JPWO2012004868KR1020130122536