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1. (WO2011022121) ANALYTE SENSOR FABRICATION
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional   

№ de pub.: WO/2011/022121 № do pedido internacional: PCT/US2010/040229
Data de publicação: 24.02.2011 Data de depósito internacional: 28.06.2010
CIP:
G01N 27/26 (2006.01) ,G01N 33/48 (2006.01) ,A61B 5/00 (2006.01) ,H01L 21/28 (2006.01) ,G01N 27/416 (2006.01)
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
27
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios elétricos, eletroquímicos, ou magnéticos
26
pela investigação de variáveis eletroquímicas; pelo uso de eletrólise ou eletroforese
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
33
Investigação ou análise de materiais por métodos específicos não abrangidos pelos grupos G01N1/-G01N31/140
48
Material biológico, p. ex., sangue, urina; Hemocitrômetros
A NECESSIDADES HUMANAS
61
CIÊNCIA MÉDICA OU VETERINÁRIA; HIGIENE
B
DIAGNÓSTICO; CIRURGIA; IDENTIFICAÇÃO
5
Medição com finalidades de diagnóstico; Identificação de pessoas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
28
Fabricação de eletrodos em corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/268155
G FÍSICA
01
MEDIÇÃO; TESTE
N
INVESTIGAÇÃO OU ANÁLISE DOS MATERIAIS PELA DETERMINAÇÃO DE SUAS PROPRIEDADES QUÍMICAS OU FÍSICAS
27
Investigação ou análise de materiais pelo uso de meios elétricos, eletroquímicos, ou magnéticos
26
pela investigação de variáveis eletroquímicas; pelo uso de eletrólise ou eletroforese
416
Sistemas
Requerentes: PETISCE, James, R.[US/US]; US (UsOnly)
HUANG, Wei[US/US]; US (UsOnly)
EDWARDS LIFESCIENCES CORPORATION[US/US]; One Edwards Way Irvine, CA 92614, US (AllExceptUS)
Inventores: PETISCE, James, R.; US
HUANG, Wei; US
Mandatário: CRAPENHOFT, Michael; Edwards Lifesciences LLC One Edwards Way Irvine, CA 92614, US
Dados da prioridade:
12/824,05425.06.2010US
61/221,94830.06.2009US
Título (EN) ANALYTE SENSOR FABRICATION
(FR) FABRICATION DE CAPTEUR D'ANALYTE
Resumo:
(EN) A biosensor fabrication process comprising transferring one or more layers (e.g., conductive ink and/or membrane layers) from a surface to the biosensor substrate and biosensors produced therefrom. Layers are transferred from the surface to the biosensor substrate using a deposition device, such as a pick and place machine or a printing pad/plate.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de biocapteur consistant à transférer une ou plusieurs couches (par exemple, des couches d'encre conductrice et/ou de membrane) depuis une surface vers le substrat de biocapteur et des biocapteurs fabriqués au moyen de ce procédé. Les couches sont transférées depuis la surface vers le substrat de biocapteur à l'aide d'un dispositif de dépôt, tel qu'une machine bras-transfert ou un tampon/planche d'impression.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)