Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO2009035767) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2009/035767 № do pedido internacional: PCT/US2008/070622
Data de publicação: 19.03.2009 Data de depósito internacional: 21.07.2008
CIP:
H03F 1/56 (2006.01) ,H03H 7/38 (2006.01) ,H03H 11/28 (2006.01) ,H03F 3/19 (2006.01) ,H03F 3/193 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
F
AMPLIFICADORES
1
Detalhes de amplificadores usando apenas válvulas de descarga elétrica, apenas dispositivos semicondutores ou apenas dispositivos não especificados como elementos amplificadores
56
Modificações de impedâncias de entrada ou de saída, não especificadas em outro local
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
H
REDES DE IMPEDÂNCIA, p. ex., CIRCUITOS RESSONANTES; RESSONADORES
7
Redes de acessos múltiplos compreendendo apenas elementos passivos elétricos como componentes da rede
38
Redes de casamento de impedância
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
H
REDES DE IMPEDÂNCIA, p. ex., CIRCUITOS RESSONANTES; RESSONADORES
11
Redes usando elementos ativos
02
Redes de acessos múltiplos
28
Redes de casamento de impedância
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores com apenas válvulas de descarga ou apenas dispositivos semicondutores como elementos amplificadores
189
Amplificadores de alta frequência, p. ex., amplificadores de radiofrequência
19
com dispositivos semicondutores apenas
H ELECTRICIDADE
03
CIRCUITOS ELETRÔNICOS BÁSICOS
F
AMPLIFICADORES
3
Amplificadores com apenas válvulas de descarga ou apenas dispositivos semicondutores como elementos amplificadores
189
Amplificadores de alta frequência, p. ex., amplificadores de radiofrequência
19
com dispositivos semicondutores apenas
193
com dispositivos de efeito de campo
Requerentes:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449, US (AllExceptUS)
WHELAN, Colin, S. [US/US]; US (UsOnly)
TREMBLAY, John, C. [US/US]; US (UsOnly)
Inventores:
WHELAN, Colin, S.; US
TREMBLAY, John, C.; US
Mandatário:
MOFFORD, Donald, F.; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP Suite 301A 354A Turnpike St. Canton, Massachusetts 02021, US
Dados da prioridade:
11/851,42507.09.2007US
Título (EN) INPUT CIRCUITRY FOR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER AND METHOD FOR DESIGNING SUCH CIRCUITRY
(FR) CIRCUIT D'ENTRÉE POUR UN AMPLIFICATEUR ET PROCÉDÉ DE CONCEPTION ASSOCIÉ
Resumo:
(EN) A circuit having: an input matching network, a transistor (14) coupled to an output of the input matching network; and wherein the input matching network (12) has a first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively low power level and wherein the input matching network (12) has an input impedance different from the first input impedance when such input matching network (12) is fed with an input signal having a relatively high power level.
(FR) L'invention concerne un circuit comprenant: un réseau d'adaptation d'entrée, un transistor (14) couplé à une sortie du réseau d'adaptation d'entrée; et le réseau d'adaptation d'entrée (12) présentant une première impédance d'entrée, lorsque celui-ci est alimenté par un signal d'entrée présentant un faible niveau de puissance. Le réseau d'adaptation d'entrée (12) présente une impédance d'entrée différente de la première impédance d'entrée, lorsqu'il est alimenté par un signal présentant un niveau de puissance relativement élevé.
front page image
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)
Também publicado como:
KR1020100063767EP2203974CN101796720IN887/KOLNP/2010