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1. (WO2008089401) FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODES VIA NANOWIRES AND SACRIFICIAL CONDUCTIVE LAYER
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2008/089401 № do pedido internacional: PCT/US2008/051424
Data de publicação: 24.07.2008 Data de depósito internacional: 18.01.2008
CIP:
H01L 21/31 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
Requerentes:
ARIZONA BOARD OF REGENTS, ACTING FOR AND ON BEHALFOF ARIZONA STATE UNIVERSITY; 1475 North Scottsdale Road Skysong -Suite 200 Scottsdale, AZ 85257-9908, US (AllExceptUS)
O'ROURKE, Shawn [US/US]; US (UsOnly)
SMITH, Pete [US/US]; US (UsOnly)
Inventores:
O'ROURKE, Shawn; US
SMITH, Pete; US
Mandatário:
LONG, Timothy, M.; McDonnell Boehnen Hulbert & Berghoff, LLP 300 South Wacker Drive Suite 3200 Chicago, IL 60606, US
Dados da prioridade:
60/885,50318.01.2007US
Título (EN) FLEXIBLE TRANSPARENT ELECTRODES VIA NANOWIRES AND SACRIFICIAL CONDUCTIVE LAYER
(FR) ÉLECTRODES TRANSPARENTES FLEXIBLES VIA DES NANOFILS ET UNE COUCHE CONDUCTRICE SACRIFICIELLE
Resumo:
(EN) A flexible, transparent electrode structure and a method of fabrication thereof are provided comprising a transparent electrode which may maintain electrical connectivity across a surface of a flexible substrate so that the substrate may flex without affecting the integrity of an electrical contact. The transparent electrode includes conductive nanowires that are coupled to the substrate through a conducting oxide layer. The conducting oxide layer effectively provides a template onto which the nanowires are deposited and serves to anchor the nanowires to the substrate surface.
(FR) L'invention concerne une structure d'électrodes transparentes, flexibles et un procédé de fabrication de celles-ci comprenant une électrode transparente qui peut maintenir une connectivité électrique à travers une surface d'un substrat flexible de sorte que le substrat puisse fléchir sans affecter l'intégrité d'un contact électrique. L'électrode transparente comprend des nanofils conducteurs qui sont couplés au substrat à travers une couche d'oxyde conductrice. La couche d'oxyde conductrice fournit de manière efficace un gabarit sur lequel les nanofils sont déposés et sert à ancrer les nanofils sur la surface du substrat.
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)
Também publicado como:
US20100028633