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1. (WO2006090445) SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/2006/090445 № do pedido internacional: PCT/JP2005/002908
Data de publicação: 31.08.2006 Data de depósito internacional: 23.02.2005
CIP:
H01L 27/12 (2006.01) ,H01L 21/3205 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8244 (2006.01) ,H01L 27/08 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
12
sendo o substrato outro que não um corpo semicondutor, p. ex., um corpo isolante
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3205
Deposição de camadas não-isolantes, p. ex., condutoras ou resistivas sobre camadas isolantes; Pós-tratamento dessas camadas
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
8232
Tecnologia de efeito de campo
8234
Tecnologia MIS
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
8232
Tecnologia de efeito de campo
8234
Tecnologia MIS
8239
Estruturas de memória
8244
Estruturas de memória estática de acesso aleatório (SRAM)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
08
incluindo apenas componentes semicondutores de um único tipo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
10
incluindo vários componentes individuais em uma configuração repetitiva
105
compreendendo componentes de efeito de campo
11
Estruturas de memórias estáticas de acesso aleatório
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
Requerentes:
富士通株式会社 FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 Kanagawa 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588, JP (AllExceptUS)
福留 秀暢 FUKUTOME, Hidenobu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventores:
福留 秀暢 FUKUTOME, Hidenobu; JP
Mandatário:
横山 淳一 YOKOYAMA, Junichi; 〒2118588 神奈川県川崎市中原区上小田中4丁目1番1号 富士通株式会社内 Kanagawa c/o Fujitsu Limited, 1-1 Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku, Kawasaki-shi Kanagawa 2118588, JP
Dados da prioridade:
Título (EN) SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR CIRCUIT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE CIRCUIT A SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体回路装置及びその半導体回路装置の製造方法
Resumo:
(EN) To provide a semiconductor integrated circuit device, which has components of a fin-type FET suited for a high integration LSI and formed on a supporting substrate and which uses wires buried in trenches of the supporting substrate for connecting the components, and a method for manufacturing the semiconductor integrated circuit device. The semiconductor integrated circuit device comprises a MOS transistor element or the fin-type FET having a stereoscopic isolation area of silicon formed on a supporting substrate and a gate electrode formed on the surface of the stereoscopic isolation area of silicon, buried wires buried in trenches formed in self-alignment in the stereoscopic isolation area of silicon of the supporting substrate, and on-substrate wires on the supporting substrate. The MOS transistor elements are connected by the buried wires and the on-subsrate wires.
(FR) L’invention a trait à un dispositif de circuit intégré à semi-conducteur, lequel possède des composants d'un transistor à effet de champ (FET) de type à ailette adaptés pour une LSI de forte intégration et qui est formé sur un substrat support et utilise des câbles enterrés en tranchées dans le substrat support pour connecter les composants. L’invention décrit également un procédé de fabrication du dispositif de circuit intégré à semi-conducteurs. Le dispositif de circuit intégré à semi-conducteur comprend un élément transistor MOS ou un FET à ailette possédant une zone d'isolation stéréoscopique formée sur un support de substrat, ainsi qu'une électrode de grille formée sur la surface du support en silicium de la zone d'isolation stéréoscopique, des fibles enterrés en tranchées formées en alignement sur la surface en silicium de la zone d'isolation stéréoscopique du substrat support et des fils posés sur le substrat support. Les éléments de transistor MOS sont connectés par les fils enterrés et les fils posés sur le substrat.
(JA)  本発明の課題は、高集積LSIに好適な、支持基板上に形成されたfin型FETを構成素子として有する半導体集積回路装置及びその製造方法に関するものであり、構成素子間を接続するのに、支持基板中の溝に埋め込まれた配線を用いた半導体集積回路装置及びその製造方法を提供することを目的とする。  上記の課題を解決するため、支持基板上に形成されたシリコンの立体孤立領域と前記シリコンの立体孤立領域の表面に形成されたゲート電極とを有するMOSトランジスタ素子、すなわち、fin型FETと、その支持基板中、シリコンの立体孤立領域に自己整合的に形成された溝に、埋め込まれた埋込配線と、前記支持基板上の基板上配線とを備え、前記埋込配線と前記基板上配線とを用いて前記MOSトランジスタ素子間の接続が行われることを特徴とする半導体回路装置及びその製造方法を提供する。                      
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Estados designados: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Japonês (JA)
Língua de depósito: Japonês (JA)