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1. (WO2002103767) EPITAXIAL SIO¿X? BARRIER/INSULATION LAYER______________________
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional   

№ de pub.: WO/2002/103767 № do pedido internacional: PCT/US2001/040970
Data de publicação: 27.12.2002 Data de depósito internacional: 14.06.2001
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 08.01.2003
CIP:
H01L 21/762 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
71
Manufatura de partes específicas de dispositivos definidos no grupo H01L21/7095
76
Criação de regiões isolantes entre os componentes
762
Regiões dielétricas
Requerentes:
WANG, Chia-Gee [US/US]; US (UsOnly)
TSU, Raphael [US/US]; US (UsOnly)
LOFGREN, John, Clay [US/US]; US (UsOnly)
NANODYNAMICS, INC. [US/US]; 510 E. 73rd Street New York, NY 10021, US (AllExceptUS)
Inventores:
WANG, Chia-Gee; US
TSU, Raphael; US
LOFGREN, John, Clay; US
Mandatário:
HANDELMAN, Joseph, H. ; Ladas & Parry 26 West 61st Street New York, NY 10023, US
Dados da prioridade:
Título (EN) EPITAXIAL SIOX BARRIER/INSULATION LAYER______________________
(FR) COUCHE BARRIERE OU ISOLANTE EPITAXIALE EN SIOX
Resumo:
(EN) A method for producing an insulating or barrier layer (Fig. 1B), useful for semiconductor devices, comprises depositing a layer of silicon and at least one additional element on a silicon substrate whereby said deposited layer is substantially free of defects such that epitaxial silicon substantially free of defects can be deposited on said deposited layer. Alternatively, a monolayer of one or more elements, preferably comprising oxygen, is absorbed on a silicon substrate. A plurality of insulating layers sandwiched between epitaxial silicon forms a barrier composite. Semiconductor devices are disclosed which comprise said barrier composite.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'une couche barrière ou isolante (fig. 1B), utile pour des dispositifs à semi-conducteurs. Le procédé consiste à déposer une couche de silicium et au moins un élément supplémentaire sur un substrat de silicium, ladite couche déposée étant sensiblement exempte de défauts afin qu'un silicium épitaxial sensiblement exempt de défauts puisse être déposé sur la couche déposée. Dans une autre forme de réalisation, une monocouche d'un ou de plusieurs éléments, de préférence comprenant oxygène, est absorbée sur un substrat de silicium. Plusieurs couches isolantes prises en sandwich entre un silicium épitaxial forment un composite barrière. L'invention concerne en outre des dispositifs à semi-conducteurs comprenant ce composite barrière.
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Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)