Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (WO1998028745) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/1998/028745 № do pedido internacional: PCT/US1997/019209
Data de publicação: 02.07.1998 Data de depósito internacional: 23.10.1997
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 04.06.1998
CIP:
G11C 16/10 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
10
Circuitos de programação ou de entrada de dados
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
16
Memórias somente para leitura, programáveis e apagáveis (EPROM)
02
programáveis eletricamente
06
Circuitos auxiliares, p. ex., para escrita dentro da memória
34
Determinação de programação de estado, p. ex., tensão de limiar, acima da programação ou abaixo da programação, retenção
Requerentes:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, CA 95052, US
Inventores:
HURTER, Andrew, J.; US
DOLLER, Edward, M.; US
Mandatário:
TAYLOR, Edwin, H. ; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 7th floor 12400 Wilshire Boulevard Los Angeles, CA 90025, US
Dados da prioridade:
08/770,39720.12.1996US
Título (EN) NONVOLATILE WRITEABLE MEMORY WITH FAST PROGRAMMING CAPABILITY
(FR) MEMOIRE INSCRIPTIBLE REMANENTE A CAPACITE DE PROGRAMMATION RAPIDE
Resumo:
(EN) A method and apparatus provides capability for fast programming of a nonvolatile writeable memory. One or more memory cells of a block of memory cells of the nonvolatile writeable memory is programmed using no more than one program pulse. The memory cells of the block of memory cells having a threshold voltage in an intermediate region (62) below a programmed reference level (54) and above an erase reference level (50) are identified. These identified memory cells are programmed with one or more program pulses to raise the threshold voltage of the corresponding memory cell up to the programmed reference level (52).
(FR) Un procédé et un appareil présentent une capacité de programmation rapide d'une mémoire inscriptible rémanente. Une ou plusieurs cellules de mémoire d'un bloc de cellules de mémoire de la mémoireinscriptible rémanente est/sont programmé(es) par une seule impulsion de programme. Les cellules de mémoire du bloc de cellules de mémoire présentant une tension de seuil dans une région intermédiaire (62) inférieure à un niveau de référence programmé (54) et supérieur à un niveau de référence d'effacement (50) sont identifiées. Ces cellules de mémoire identifiées sont programmées avec une ou plusieurs impulsions de programme afin d'élever la tension de seuil de la cellule correspondante jusqu'au niveau de référence programmé (52).
Estados designados: AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CN, CU, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, GB, GE, GH, HU, ID, IL, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MD, MG, MK, MN, MW, MX, NO, NZ, PL, PT, RO, RU, SD, SE, SG, SI, SK, SL, TJ, TM, TR, TT, UA, UG, UZ, VN, YU, ZW
Organização Regional Africana da Propriedade Intelectual (ARIPO) (GH, KE, LS, MW, SD, SZ, UG, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE)
Organização Africana da Propriedade Intelectual (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)
Também publicado como:
AU1997049966