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1. (WO1991018394) READ/WRITE/RESTORE CIRCUIT FOR MEMORY ARRAYS
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/1991/018394 № do pedido internacional: PCT/US1990/005897
Data de publicação: 28.11.1991 Data de depósito internacional: 15.10.1990
Pedido de exame (capítulo 2) depositado: 16.12.1991
CIP:
G11C 7/00 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,G11C 11/416 (2006.01) ,G11C 11/419 (2006.01)
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
7
Disposições para escrever ou ler informações em uma memória digital
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
7
Disposições para escrever ou ler informações em uma memória digital
06
Amplificadores de sensibilidade; Circuitos associados
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
11
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos especiais de memória elétricos ou magnéticos; Elementos de memória para as mesmas
21
usando elementos elétricos
34
usando dispositivos semicondutores
40
usando transistores
41
formando células com realimentação positiva, i.e., células que não necessitam restauração ou regeneração da carga, p. ex., multivibrador biestável ou gatilho disparador de Schmitt (Schmitt trigger)
413
Circuitos auxiliares, p. ex., para o endereçamento, decodificação, controle, escrita, leitura, sincronização ou a redução do consumo
414
para células de memória do tipo bipolar
416
Circuitos de leitura e escrita
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
11
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos especiais de memória elétricos ou magnéticos; Elementos de memória para as mesmas
21
usando elementos elétricos
34
usando dispositivos semicondutores
40
usando transistores
41
formando células com realimentação positiva, i.e., células que não necessitam restauração ou regeneração da carga, p. ex., multivibrador biestável ou gatilho disparador de Schmitt (Schmitt trigger)
413
Circuitos auxiliares, p. ex., para o endereçamento, decodificação, controle, escrita, leitura, sincronização ou a redução do consumo
417
para células de memória do tipo de efeito de campo
419
Circuitos de leitura e escrita
Requerentes:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; Armonk, NY 10504, US
Inventores:
MONTEGARI, Frank, Alfred; US
Mandatário:
MELLER, Michael, N.; Meller & Associates P.O. Box 2198 Grand Central Station New York, NY 10163, US
Dados da prioridade:
525,28617.05.1990US
Título (EN) READ/WRITE/RESTORE CIRCUIT FOR MEMORY ARRAYS
(FR) CIRCUIT DE LECTURE/ECRITURE/REMISE A L'ETAT INITIAL POUR RESEAUX DE MEMOIRE
Resumo:
(EN) A read/write/restore circuit is disclosed for use in a memory array such as a static RAM array. The circuit employs data and data-complement signals having three states in combination with a two-state address signal to perform read, write and restore functions for the array, to reduce the number of components and control lines needed. The circuit is preferably implemented in BICMOS technology.
(FR) On décrit un circuit de lecture/écriture/remise à l'état initial utilisé dans un réseau de mémoire tel un réseau de mémoire à accès sélectif (RAM) statique. Le circuit utilise des signaux de données et de compléments de données possédant trois états, en combinaison avec un signal d'adresse à deux états afin d'effectuer des fonctions de lecture, d'écriture et de remise à l'état initial pour le réseau et de réduire le nombre d'éléments et de lignes de commande nécessaires. Le circuit est de préférence réalisé en technologie BICMOS.
Estados designados: JP
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR, IT, LU, NL, SE)
Língua de publicação: Inglês (EN)
Língua de depósito: Inglês (EN)
Também publicado como:
EP0528799JPH05507169