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1. (WO1986004735) INTEGRATED PHOTODETECTOR-AMPLIFIER DEVICE
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional

№ de pub.: WO/1986/004735 № do pedido internacional: PCT/US1986/000234
Data de publicação: 14.08.1986 Data de depósito internacional: 03.02.1986
CIP:
H01L 27/144 (2006.01) ,H01L 31/105 (2006.01)
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
14
incluindo componentes semicondutores sensíveis às radiações infravermelhas, à luz, à radiação eletromagnética de comprimentos de onda mais curtos ou à radiação corpuscular e adaptado, tanto para a conversão da energia destas radiações em energia elétrica, como para o controle de energia elétrica por tais radiações
144
Dispositivos controlados por radiação
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
31
Dispositivos semicondutores sensíveis à radiação infravermelha, luz, radiação eletromagnética de comprimento de onda mais curto ou radiação corpuscular e especialmente adaptados para a conversão da energia de tal radiação em energia elétrica ou para controle de energia elétrica por meio de tal radiação; Processos ou aparelhos especialmente adaptados para manufatura ou tratamento do mesmo ou de suas partes integrantes; Detalhes dos mesmos
08
em que a radiação controla o fluxo de corrente através dos dispositivos, p. ex., fotoresistores
10
caracterizados por pelo menos uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., fototransistores
101
Dispositivos sensíveis à radiação infravermelha, visível ou ultravioleta
102
caracterizados por uma única barreira de potencial ou de superfície
105
sendo a barreira de potencial do tipo PIN
Requerentes:
AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue New York, NY 10022, US
Inventores:
CHENG, Julian; US
DeLOACH, Bernard, Collins, Jr.; US
FORREST, Stephen, Ross; US
Mandatário:
HIRSCH, A., E., Jr. @; AT&T Bell laboratories Post Office Box 679 Holmdel, NJ 07733, US
Dados da prioridade:
700,44111.02.1985US
Título (EN) INTEGRATED PHOTODETECTOR-AMPLIFIER DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTODETECTEUR-AMPLIFICATEUR INTEGRE
Resumo:
(EN) An integrated photodetector-amplifier structure which features a p-region (21), intrinsic region (12), n-region photodetector (11) (PIN photodetector) and a self-aligned junction field-effect transistor (JFET) incorporated in the same integrated circuit. The photodetector is back illuminated, features a buried p-n junction so as to avoid surface leakage, vertical integration so that partial regrowth is not needed, and an air bridge (20) to isolate the capacitance of the PIN electrode (18) from the JFET structure. The invention includes integrated structures with more than one PIN and/or more than one JFET element.
(FR) Structure de photodétecteur-amplificateur intégré présentant un photodétecteur possédant une région n (11), une région p (21) et une région intrinsèque (12), (photodétecteur PIN) et un transistor à effet de champ à jonction auto-alignée (JFET) incorporée dans le même circuit intégré. Le photodétecteur est éclairé par l' arrière, présente une jonction p-n noyée de manière à éviter les fuites en surface, une intégration verticale rendant superflue une croissance partielle, et un pont d'air (20) pour isoler la capacitance de l'électrode PIN (18) de la structure JFET. L'invention comprend des structures intégrées avec plus d'un PIN et/ou plus d'un élément JFET.
Estados designados: JP
Instituto Europeu de Patentes (IEP) (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE)
Língua de publicação: inglês (EN)
Língua de depósito: inglês (EN)
Also published as:
EP0214289