Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
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1. (US20190040317) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME

Organismo : Estados Unidos da América
Número do pedido: 16068811 Data do pedido: 22.09.2017
Número de publicação: 20190040317 Data de publicação: 07.02.2019
Tipo de publicação : A1
Referência PCT: Número do pedido:PCTJP2017034250 ; Número de publicação: Clique para ver os dados
CIP:
C09K 13/08
H01L 21/306
C QUÍMICA; METALURGIA
09
CORANTES; TINTAS; POLIDORES; RESINAS NATURAIS; ADESIVOS; COMPOSIÇÕES NÃO ABRANGIDOS EM OUTROS LOCAIS; APLICAÇÕES DE MATERIAIS NÃO ABRANGIDOS EM OUTROS LOCAIS
K
MATERIAIS PARA APLICAÇÕES DIVERSAS, NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL; APLICAÇÔES DE MATERIAIS NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
13
Composições para gravura à água forte, para o abrilhantamento de superfícies ou para a desincrustação
04
contendo um ácido inorgânico
08
contendo um composto de flúor
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
306
Tratamento químico ou elétrico, p. ex., cauterização eletrolítica
CPC:
C09K 13/08
H01L 21/30604
H01L 21/32134
Requerentes: MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
Inventores: Akinobu HORITA
Kenji SHIMADA
Kenichi TAKAHASHI
Toshiyuki OIE
Aya ITO
Dados da prioridade: 2016-250545 26.12.2016 JP
Título: (EN) WET ETCHING COMPOSITION FOR SUBSTRATE HAVING SiN LAYER AND Si LAYER AND WET ETCHING METHOD USING SAME
Resumo:
(EN)

The present invention relates to a wet etching composition for a substrate having a SiN layer and a Si layer, comprising 0.1-50 mass % fluorine compound (A), 0.04-10 mass % oxidant (B) and water (D) and having pH in a range of 2.0-5.0. The present invention also relates to a wet etching process for a semiconductor substrate having a SiN layer and a Si layer, the process using the wet etching composition. The composition of the present invention can be used for a substrate having a SiN layer and a Si layer to enhance removal selectivity of Si over SiN while reducing corrosion of the device and the exhaust line and air pollution caused by a volatile component generated upon use and further a burden on the environment caused by the nitrogen content contained in the composition.


Também publicado como:
CN108513679KR1020180087420EP3389083WO/2018/123166