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1. (US20140355337) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Organismo : Estados Unidos da América
Número do pedido: 14350434 Data do pedido: 08.10.2012
Número de publicação: 20140355337 Data de publicação: 04.12.2014
Número da concessão: 09293184 Data da concessão: 22.03.2016
Tipo de publicação : B2
Referência PCT: Número do pedido:PCTGB2012052493 ; Número de publicação: Clique para ver os dados
CIP:
G11C 19/00
G11C 19/02
G11C 7/00
G11C 11/00
G11C 5/02
G11C 19/38
G11C 11/16
G11C 11/14
H04L 12/26
G11C 19/08
G11C 14/00
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
19
Memórias digitais em que as informações são movidas escalonadamente, p. ex., memórias de deslocamento
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
19
Memórias digitais em que as informações são movidas escalonadamente, p. ex., memórias de deslocamento
02
usando elementos magnéticos
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
7
Disposições para escrever ou ler informações em uma memória digital
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
11
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos especiais de memória elétricos ou magnéticos; Elementos de memória para as mesmas
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
5
Detalhes de memórias abrangidos pelo grupo G11C11/71
02
Disposição dos elementos de memória, p. ex., em forma de matriz
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
19
Memórias digitais em que as informações são movidas escalonadamente, p. ex., memórias de deslocamento
38
bidimensional, p. ex., registros de deslocamento horizontal e vertical
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
11
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos especiais de memória elétricos ou magnéticos; Elementos de memória para as mesmas
02
usando elementos magnéticos
16
usando elementos em que o efeito de memória se baseia no efeito magnético de spin
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
11
Memórias digitais caracterizadas pelo emprego de elementos especiais de memória elétricos ou magnéticos; Elementos de memória para as mesmas
02
usando elementos magnéticos
14
usando elementos de filmes finos (thin film)
H ELECTRICIDADE
04
TÉCNICA DE COMUNICAÇÃO ELÉTRICA
L
TRANSMISSÃO DE INFORMAÇÃO DIGITAL, p. ex., COMUNICAÇÃO TELEGRÁFICA
12
Redes caracterizadas pela função de comutação
02
Detalhes
26
Disposições para monitoração; Disposições para teste
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
19
Memórias digitais em que as informações são movidas escalonadamente, p. ex., memórias de deslocamento
02
usando elementos magnéticos
08
usando filmes finos em uma estrutura plana
G FÍSICA
11
ARMAZENAMENTO DE INFORMAÇÕES
C
MEMÓRIAS ESTÁTICAS
14
Memórias digitais caracterizadas pelas disposições das células com propriedades de memória volátil e não-volátil para salvaguardar a informação em caso de falha da alimentação
Requerentes: University of York
Inventores: Kevin O'Grady
Gonzalo Vallejo Fernandez
Atsufumi Hirohata
Mandatários: DASCENZO Intellectual Property Law, P.C.
Dados da prioridade: 1117446.3 10.10.2011 GB
Título: (EN) Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device
Resumo: front page image
(EN)

There is provided a method of pinning domain walls in a magnetic memory device (10) comprising using an antiferromagnetic material to create domain wall pinning sites. Junctions (22) where arrays of ferromagnetic nanowires (16) and antiferromagnetic nanowires (20) cross exhibit a permanent exchange bias interaction between the ferromagnetic material and the antiferromagnetic material which creates domain wall pinning sites. The exchange bias field is between 30 to 3600 Oe and the anisotropy direction of the ferromagnetic elements is between 15 to 75° to an anisotropy direction of the antiferromagnetic elements.