Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
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1. (KR1020180122600) 플라스마 처리 방법

Organismo : República da Coreia
Número do pedido: 1020187021993 Data do pedido: 19.03.2018
Número de publicação: 1020180122600 Data de publicação: 13.11.2018
Tipo de publicação : A
Referência PCT: Número do pedido: ; Número de publicação:WO2018180663 Clique para ver os dados
CIP:
H01L 21/3065
H01L 21/304
H01L 21/311
H01L 21/3213
H05H 1/46
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
306
Tratamento químico ou elétrico, p. ex., cauterização eletrolítica
3065
Gravação por plasma; Gravação por íon reativo
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
302
para mudar as características físicas ou a forma de sua superfície, p. ex., gravação, polimento, recorte
304
Tratamento mecânico, p. ex., esmerilhamento, polimento, recorte
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3105
Pós-tratamento
311
Gravação das camadas isolantes
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
30
Tratamento de corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/26142
31
para formar camadas isolantes nos mesmos, p. ex., para mascarar ou usando técnicas fotolitográficas; Pós-tratamento dessas camadas; Seleção de materiais para estas camadas
3205
Deposição de camadas não-isolantes, p. ex., condutoras ou resistivas sobre camadas isolantes; Pós-tratamento dessas camadas
321
Pós-tratamento
3213
Gravação física ou química de camadas, p. ex., para produzir uma camada padronizada a partir de uma camada extensa pré-depositada
H ELECTRICIDADE
05
TÉCNICAS ELÉTRICAS NÃO INCLUÍDAS EM OUTRO LOCAL
H
TÉCNICA DO PLASMA; PRODUÇÃO DE PARTÍCULAS ACELERADAS CARREGADAS ELETRICAMENTE OU DE NÊUTRONS; PRODUÇÃO OU ACELERAÇÃO DE FEIXES MOLECULARES OU ATÔMICOS NEUTROS
1
Produção do plasma; Manipulação do plasma
24
Produção do plasma
46
usando campos eletromagnéticos aplicados, p. ex., energia de alta frequência ou de micro-onda
Requerentes: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
Inventores: 히로타 고사
스미야 마사히로
나카우네 고이치
다마리 나나코
이노우에 사토미
나카모토 시게루
Mandatários: 문두현
Dados da prioridade: JP-P-2017-060353 27.03.2017 JP
Título: (KO) 플라스마 처리 방법
Resumo: front page image
(KO) 본 발명의 목적은 반도체 기판 등의 웨이퍼를 플라스마 에칭하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 웨이퍼의 에칭 처리에 의해 처리실 내에 퇴적하는 금속과 비금속의 복합 퇴적물을 제거하고, 퇴적물에 의한 이물의 발생을 저감할 수 있는 플라스마 처리 방법을 제공한다. 본 발명은 처리실 내에서 시료를 플라스마 에칭하여 상기 처리실 내를 플라스마 클리닝하는 플라스마 처리 방법에 있어서, 상기 시료를 소정 매수 플라스마 에칭하는 에칭 공정과, 상기 에칭 공정 후, 플라스마를 이용하여 금속 원소를 함유하는 퇴적막을 제거하는 금속 제거 공정과, 상기 금속 제거 공정의 플라스마와 상이한 플라스마를 이용하여 비금속 원소를 함유하는 퇴적막을 제거하는 비금속 제거 공정을 갖고, 상기 금속 제거 공정과 상기 비금속 제거 공정을 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 한다.
Também publicado como:
WO/2018/180663