Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (CN106796888) 半导体器件及其制造方法

Organismo : China
Número do pedido: 112016000002307 Data do pedido: 05.02.2016
Número de publicação: 106796888 Data de publicação: 31.05.2017
Tipo de publicação : A
Referência PCT: Número do pedido:PCTJP2016053541 ; Número de publicação: Clique para ver os dados
CIP:
H01L 21/336
C23C 14/08
C23C 14/58
H01L 21/363
H01L 29/786
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
334
Processos de várias etapas para a fabricação de dispositivos do tipo unipolar
335
Transistores de efeito de campo
336
com uma porta isolada
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
06
caracterizado pelo material de revestimento
08
Óxidos
C QUÍMICA; METALURGIA
23
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO QUÍMICO DE SUPERFÍCIES; TRATAMENTO DE DIFUSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE ÍONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL; INIBIÇÃO DA CORROSÃO DE MATERIAIS METÁLICOS OU INCRUSTAÇÃO EM GERAL
C
REVESTIMENTO DE MATERIAIS METÁLICOS; REVESTIMENTO DE MATERIAIS COM MATERIAIS METÁLICOS; TRATAMENTO DA SUPERFÍCIE DE MATERIAIS METÁLICOS POR DIFUSÃO, POR CONVERSÃO QUÍMICA OU SUBSTITUIÇÃO; REVESTIMENTO POR EVAPORAÇÃO A VÁCUO, POR PULVERIZAÇÃO CATÓDICA, POR IMPLANTAÇÃO DE IONS OU POR DEPOSIÇÃO QUÍMICA EM FASE DE VAPOR, EM GERAL
14
Revestimento por evaporação a vácuo, por pulverização catódica ou por implantação de ions do material
58
Pós-tratamento
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
34
os dispositivos tendo corpos semicondutores não incluídos nos grupos H01L21/06, H01L21/16, e H01L21/18170
36
Deposição de materiais semicondutores em um substrato, p. ex., crescimento epitaxial
363
usando deposição física, p. ex., deposição a vácuo, pulverização
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
Requerentes: 住友电气工业株式会社
Inventores: 宫永美纪
绵谷研一
粟田英章
Mandatários: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219
Dados da prioridade: 2015-133717 02.07.2015 JP
Título: (ZH) 半导体器件及其制造方法
Resumo:
(ZH) 提供一种半导体器件,包括:栅电极(2);设置在栅电极(2)的正下方或正上方的区域中的沟道层(7);设置为与沟道层(7)接触的源电极(5)和漏电极(6);以及设置在栅电极(2)和沟道层(7)之间的第一绝缘层(3),沟道层(7)包括第一氧化物半导体,源电极和漏电极中至少一个包括第二氧化物半导体,且第一氧化物半导体和第二氧化物半导体包含铟、钨和锌。还提供一种制造该半导体器件的方法。
Também publicado como:
EP3159918KR1020170032430US20170222058WO/2017/002384