Algum conteúdo deste aplicativo está indisponível no momento.
Se esta situação persistir, por favor entre em contato conoscoFale conosco & Contato
1. (JP2015144312) SEMICONDUCTOR DEVICE

Organismo : Japão
Número do pedido: 2015077468 Data do pedido: 06.04.2015
Número de publicação: 2015144312 Data de publicação: 06.08.2015
Número da concessão: 5961302 Data da concessão: 01.07.2016
Tipo de publicação : B2
CIP:
G02F 1/1368
H01L 29/786
G FÍSICA
02
ÓPTICA
F
DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES, NOS QUAIS O FUNCIONAMENTO ÓPTICO É MODIFICADO PELA VARIAÇÃO DAS PROPRIEDADES ÓPTICAS DO MEIO QUE CONSTITUI ESTES DISPOSITIVOS OU DISPOSIÇÕES PARA O CONTROLE DA INTENSIDADE, DA COR, DA FASE, DA POLARIZAÇÃO OU DA DIREÇÃO DA LUZ, p. ex.,COMUTAÇÃO, ABERTURA DE PORTA, MODULAÇÃO OU DEMODULAÇÃO; TÉCNICAS OU PROCEDIMENTOS NECESSÁRIOS PARA O FUNCIONAMENTO DESTES; MUDANÇA DE FREQUÊNCIA; ÓPTICA NÃO LINEAR; ELEMENTOS ÓPTICOS LÓGICOS; CONVERSORES ÓPTICOS ANALÓGICOS/DIGITAIS
1
Dispositivos ou disposições para o controle da intensidade da cor, da fase, da polarização ou da direção da luz proveniente de uma fonte de luz independente, p. ex.,comutação, abertura de porta ou modulação; Óptica não linear
01
para controle da intensidade, da fase, da polarização ou da cor
13
baseado em cristais líquidos, p. ex., células individuais de apresentação a cristais líquidos
133
Disposições construtivas; Funcionamento de células de cristal líquido; Disposições de circuitos
136
Células de cristal líquido estruturalmente associadas a uma camada ou substrato semicondutores, p. ex., células que fazem parte de um circuito integrado
1362
Células de endereçamento de matriz ativa
1368
na qual o elemento comutador é um dispositivo de três eletrodos
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
66
Tipos de dispositivo semicondutor
68
controláveis unicamente pela corrente elétrica fornecida ou pelo potencial elétrico aplicado a um eletrodo que não conduz a corrente a ser retificada, amplificada ou comutada
76
Dispositivos unipolares
772
Transistores de efeito de campo
78
com o efeito de campo produzido por uma porta isolada
786
Transistores de filme fino
Requerentes: 株式会社半導体エネルギー研究所
Inventores: 本田 達也
Dados da prioridade: 2005300825 14.10.2005 JP
Título: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(JA) 半導体装置
Resumo:
(EN) PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor device which reduces contact resistance between a semiconductor film and an electrode or wiring, improves the coverage factor between the semiconductor film and the electrode or the wiring, and improves the characteristics.

SOLUTION: A semiconductor device includes: a gate electrode located on a substrate; a gate insulation film located on the gate electrode; a first source electrode or a first drain electrode, located on the gate insulation film; an island-shaped semiconductor film located on the first source electrode or the first drain electrode; and a second source electrode or a second drain electrode, located on the island-shaped semiconductor film and the first source electrode or the first drain electrode. The second source electrode or the second drain electrode is in contact with the first source electrode or the first drain electrode. The first source electrode or the first drain electrode and the second source electrode or the second drain electrode hold the island-shaped semiconductor film therebetween. This invention relates to the semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device.

COPYRIGHT: (C)2015,JPO&INPIT
(JA)

【課題】半導体膜と電極又は配線との接触抵抗を低減し、かつ半導体膜と電極又は配線と
の被覆率を改善し、特性を向上させた半導体装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板上にゲート電極と、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
縁膜上に第1のソース電極又はドレイン電極と、前記第1のソース電極又はドレイン電極
上に島状半導体膜と、前記島状半導体膜及び前記第1のソース電極又はドレイン電極上に
第2のソース電極又はドレイン電極とを有し、前記第2のソース電極又はドレイン電極は
前記第1のソース電極又はドレイン電極と接触しており、前記第1のソース電極又はドレ
イン電極及び第2のソース電極又はドレイン電極が前記島状半導体膜を挟みこんでいる半
導体装置及びその作製方法に関するものである。
【選択図】図1


Também publicado como:
EP1935027JP2007134687US20070087487JP2013016861CN101278403JP2014103418
WO/2007/043493