Pesquisa nas coleções internacionais e nacionais de patentes
Alguns conteúdos deste aplicativo estão indisponíveis de momento.
Caso esta situação persista, estamos ao seu dispor através deFale conosco & Contato
1. (CN104103515) Manufacturing method for PMOS transistor and manufacturing method for NMOS transistor

Organismo : China
Número do pedido: 201310113296.3 Data do pedido: 02.04.2013
Número de publicação: 104103515 Data de publicação: 15.10.2014
Número da concessão: 104103515 Data da concessão: 08.02.2017
Tipo de publicação : B
CIP:
H01L 21/336
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
334
Processos de várias etapas para a fabricação de dispositivos do tipo unipolar
335
Transistores de efeito de campo
336
com uma porta isolada
CPC:
H01L 29/66568
H01L 29/0847
H01L 29/1608
H01L 29/161
Requerentes: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (SHANGHAI) CO., LTD.
Inventores: LI FENGLIAN
NI JINGHUA
Mandatários: luo suhua
Dados da prioridade:
Título: (EN) Manufacturing method for PMOS transistor and manufacturing method for NMOS transistor
(ZH) PMOS晶体管的制作方法与NMOS晶体管的制作方法
Resumo: front page image
(EN) The invention provides a manufacturing method for a PMOS transistor and a manufacturing method for an NMOS transistor. According to the aforementioned manufacturing methods, multiple laminated sigma-shaped grooves (at least two), i.e. stepped sigma-shaped grooves, are formed in source electrode and drain electrode regions in a direction of being perpendicular to the surface of a silicon substrate. In the direction from the surface of the silicon substrate into the silicon substrate, the groove tip, which stretches into a channel, of each sigma-shaped groove presents to be away from the channel gradually. Then a) as for the PMOS transistor, silicon germanium material is filled in the stepped sigma-shaped grooves so that pressure stress is applied to the channel, b) and as for the NMOS transistor, silicon carbide material is filled in the stepped sigma-shaped grooves so that pulling stress is applied to the channel. Therefore, capacity of the stepped sigma-shaped grooves is larger, and more silicon germanium material or silicon carbide material can be accommodated. Correspondingly, pressure stress or pulling stress to the channel is increased so that migration rate of hole carriers or electron carriers is improved.
(ZH) 本发明提供一种PMOS晶体管的制作方法与一种NMOS晶体管的制作方法。上述制作方法采用在源极及漏极区域形成垂直硅衬底表面方向的多个堆叠的sigma形凹槽(至少两个),即阶梯状sigma形凹槽,且在自硅衬底表面向硅衬底内方向上,每个sigma形凹槽的深入沟道的凹槽尖端呈逐渐远离沟道的趋势;之后,a)针对PMOS晶体管,在阶梯状sigma形凹槽内填入硅锗材料以对沟道施加压应力,b)针对NMOS晶体管,填入碳化硅材料以对沟道施加拉应力。如此,阶梯状sigma形凹槽的容量较大,可以容纳更多的硅锗材料或碳化硅材料,相应地,增加对沟道的压应力或拉应力,从而改善空穴载流子或电子载流子的迁移速率。