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1. (CN102299154) Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Organismo : China
Número do pedido: 201010215163.3 Data do pedido: 22.06.2010
Número de publicação: 102299154 Data de publicação: 28.12.2011
Número da concessão: 102299154 Data da concessão: 12.06.2013
Tipo de publicação : B
CIP:
H01L 27/092
H01L 21/8238
H01L 29/49
H01L 21/28
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
27
Dispositivos consistindo de uma pluralidade de semicondutores ou outros componentes de estado sólido, formados em ou sobre um substrato comum
02
incluindo componentes semicondutores adaptados à retificação, oscilação, amplificação, comutação e tendo pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície; incluindo elementos de circuito passivo integrado com pelo menos uma barreira de potencial ou de uma barreira de superfície
04
sendo o substrato um corpo semicondutor
08
incluindo apenas componentes semicondutores de um único tipo
085
somente com componentes de efeitos de campo
088
sendo os componentes transistores de efeito de campo com porta isolada
092
transistores de efeito de campos MIS (metal-isolante-semicondutor) complementares
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
70
Fabricação ou tratamento de dispositivos consistindo em vários componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados em ou sobre um substrato comum ou de partes específicas dos mesmos; Fabricação de dispositivos de circuitos integrados ou de partes específicas dos mesmos
77
Manufatura ou tratamento de dispositivos constituídos de uma pluralidade de componentes de estado sólido ou circuitos integrados formados dentro ou sobre um substrato comum
78
com divisão subsequente do substrato em dispositivos individuais múltiplos
82
para produzir dispositivos, p. ex.,circuitos integrados, cada um consistindo de uma pluralidade de componentes
822
sendo o substrato um semicondutor usando tecnologia de silício
8232
Tecnologia de efeito de campo
8234
Tecnologia MIS
8238
Transistores de efeito de campo complementares, p. ex., CMOS
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
29
Dispositivos semicondutores adaptados para retificação, amplificação, oscilação ou comutação ou capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície; Capacitores ou resistores com pelo menos uma barreira de potencial ou barreira de superfície, p. ex., camada de depleção da junção PN ou camada de concentração de portadores; Detalhes de corpos de semicondutores ou de eletrodos dos mesmos
40
Eletrodos
43
caracterizados pelos materiais dos quais são formados
49
Eletrodos semicondutores isoladores de metal
H ELECTRICIDADE
01
ELEMENTOS ELÉTRICOS BÁSICOS
L
DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES; DISPOSITIVOS ELÉTRICOS DE ESTADO SÓLIDO NÃO INCLUÍDOS EM OUTRO LOCAL
21
Processos ou aparelhos especialmente adaptados para a manufatura ou tratamento dos dispositivos semicondutores ou de dispositivos de estado sólido ou de partes dos mesmos
02
Fabricação ou tratamento de dispositivos semicondutores ou de partes dos mesmos
04
tendo o dispositivo, pelo menos, uma barreira de potencial ou uma barreira de superfície, p. ex., junção PN, camada de depleção, camada de concentração de portadores de carga
18
tendo os dispositivos corpos semicondutores constituídos de elementos do quarto grupo do Sistema periódico ou compostos AIIIBV com ou sem impurezas, p. ex., materiais de dopagem
28
Fabricação de eletrodos em corpos semicondutores usando processos ou aparelhos não incluídos nos grupos H01L21/20-H01L21/268155
CPC:
H01L 29/4983
H01L 21/823807
H01L 21/823842
H01L 21/823864
H01L 29/66545
H01L 29/7845
Requerentes: Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences
中国科学院微电子研究所
Inventores: Zhu Huilong
朱慧珑
Liang Qingqing
梁擎擎
Luo Zhijiong
骆志炯
Yin Haizhou
尹海洲
Mandatários: ma youbeng
北京市立方律师事务所 11330
Dados da prioridade:
Título: (EN) Semiconductor structure and manufacturing method thereof
(ZH) 半导体结构及其制作方法
Resumo: front page image
(EN) The invention discloses a semiconductor structure and a manufacturing method thereof. The semiconductor structure comprises a semiconductor substrate, channel regions, gate stacks, side walls and source/drain regions, wherein the channel regions are formed on the semiconductor substrate; the gate stacks are formed in the channel regions; the side walls are formed outside the gate stacks; the source/drain regions are formed at the two sides of the channel regions; the gate stacks comprise gate dielectric layers formed in the channel regions and conducting layers formed on the gate dielectric layers; for nMOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor), the conducting layers have pressure stresses so as to provide tensile stresses to the channel regions; and for pMOSFET, the conducting layers have tensile stresses so as to provide pressure stresses to the channel regions. The semiconductor structure and the manufacturing method are suitable for channel engineering of semiconductor manufacturing.
(ZH)

本申请公开了一种半导体结构及其制造方法。本发明的半导体结构包括:半导体衬底;沟道区,形成于所述半导体衬底上;栅堆叠,形成于所述沟道区上;侧墙,形成于所述栅堆叠的外侧;源/漏区,形成于所述沟道区的两侧;所述栅堆叠包括:栅介质层,形成于所述沟道区上;导电层,形成在所述栅介质层上;其中,对于nMOSFET,所述导电层具有压应力,以给所述沟道区提供拉应力;对于pMOSFET,所述导电层具有拉应力,以给所述沟道区提供压应力。本发明的实施例适用于半导体制造的沟道工程应用。