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1. (WO2014157525) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
Dados bibliográficos mais recentes no arquivo da Secretaria Internacional   

№ de pub.: WO/2014/157525 № do pedido internacional: PCT/JP2014/058877
Data de publicação: 02.10.2014 Data de depósito internacional: 27.03.2014
CIP:
H01L 31/06 (2012.01)
Requerentes: SHARP KABUSHIKI KAISHA[JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522, JP
Inventores: KIMOTO, Kenji; null
Mandatário: FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005, JP
Dados da prioridade:
2013-06970428.03.2013JP
Título (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE
(JA) 光電変換素子
Resumo: front page image
(EN) The present application pertains to a photoelectric conversion element equipped with a semiconductor (1), an intrinsic layer (4) containing hydrogenated amorphous silicon and provided on the semiconductor (1), a first-conductive-type layer (6), a second-conductive-type layer (8), a first insulating layer (5) for covering part of the intrinsic layer (4), a first electrode (9), and a second electrode (10), the photoelectric conversion element being characterized in that a part of the first-conductive-type layer (6) and a part of the second-conductive-type layer (8) are positioned above the region where the intrinsic layer (4) and the first insulating layer (5) contact one another.
(FR) La présente invention concerne un élément de conversion photoélectrique, comprenant : un semi-conducteur (1) ; une couche intrinsèque (4) contenant du silicium amorphe hydrogéné et déposée sur le semi-conducteur (1) ; une couche du premier type conducteur (6) ; une couche du second type conducteur (8) ; une première couche isolante (5) servant à recouvrir une partie de la couche intrinsèque (4) ; une première électrode (9) ; et une seconde électrode (10). L'élément de conversion photoélectrique est caractérisé en ce qu'une partie de la couche du premier type conducteur (6) et une partie de la couche du second type conducteur (8) sont positionnées au-dessus de la région où la couche intrinsèque (4) et la première couche isolante (5) se trouvent en contact l'une avec l'autre.
(JA) 本願は、半導体1、該半導体1上に設けられた水素化アモルファスシリコンを含有する真性層4、第1導電型層6、第2導電型層8、前記真性層4の一部を被覆する第1絶縁層5、第1電極9、第2電極10とを備えた光電変換素子であって、前記第1導電型層6の一部および前記第2導電型層8の一部は、前記真性層4と前記第1絶縁層5とが接する領域の上方に位置していることを特徴とする。
Estados designados: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Instituto Eurasiático de Patentes (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Instituto Europeu de Patentes (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Língua de publicação: japonês (JA)
Língua de depósito: japonês (JA)