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1. (US20130279145) Group III-N nanowire transistors

특허청 : 미국
출원번호: 13976413 출원일: 19.12.2011
공개번호: 20130279145 공개일: 24.10.2013
특허번호: 09240410 특허부여일: 19.01.2016
공개유형: B2
PCT 참조번호: 출원번호: PCTUS2011065919; 공개번호: 자료를 보려면 여기를 클릭하십시오
IPC:
H01L 27/088
H01L 29/66
H01L 29/775
H01L 29/778
H01L 29/786
H01L 29/78
B82Y 10/00
H01L 29/06
H01L 29/20
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
02
정류, 발진, 증폭 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 구성부품을 포함하고 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 집적화 된 수동 회로 소자를 포함하는 것
04
기판이 하나의 반도체본체로 되어 있는 것
08
1종류의 반도체구성부품만을 포함하는 것
085
전계효과구성부품만을 포함하는 것
088
구성부품이 절연게이트를 갖는 전계효과 트랜지스터로 되어 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
775
1 차원 전하가스채널을 갖는 것, 예. quantum wire FET
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
778
2 차원 전하가스채널을 갖는 것, 예. HEMT
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
Y
나노 구조의 특별한 사용이나 적용; 나노 구조의 측정이나 분석; 나노 구조의 제조나 처리
10
정보 처리, 저장 또는 전달을 위한 나노 기술, 저장과 전달, 예. 양자 컴퓨팅 또는 단전자 로직
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
02
반도체 본체
06
형태에 특징이 있는 것; 반도체영역의 형태, 상대적인 크기 또는 배치에 특징이 있는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
02
반도체 본체
12
구성재료에 특징이 있는 것
20
도핑물질 또는 타불순물을 제외하고 AⅢBⅤ 화합물만을 포함하는 것
출원인: Han Wui Then
Intel Corporation
Robert Chau
Benjamin Chu-Kung
Gilbert Dewey
Jack Kavalieros
Matthew Metz
Niloy Mukherjee
Ravi Pillarisetty
Marko Radosavljevic
발명자: Han Wui Then
Robert Chau
Benjamin Chu-Kung
Gilbert Dewey
Jack Kavalieros
Matthew Metz
Niloy Mukherjee
Ravi Pillarisetty
Marko Radosavljevic
대리인: Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP
우선권 정보
발명의 명칭: (EN) Group III-N nanowire transistors
요약서: front page image
(EN)

A group III-N nanowire is disposed on a substrate. A longitudinal length of the nanowire is defined into a channel region of a first group III-N material, a source region electrically coupled with a first end of the channel region, and a drain region electrically coupled with a second end of the channel region. A second group III-N material on the first group III-N material serves as a charge inducing layer, and/or barrier layer on surfaces of nanowire. A gate insulator and/or gate conductor coaxially wraps completely around the nanowire within the channel region. Drain and source contacts may similarly coaxially wrap completely around the drain and source regions.


또한로 출판 됨:
CN104011868DE112011105945WO/2013/095343