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1. (US20110318857) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

특허청 : 미국
출원번호: 13219118 출원일: 26.08.2011
공개번호: 20110318857 공개일: 29.12.2011
특허번호: 09343622 특허부여일: 17.05.2016
공개유형: B2
IPC:
H01L 33/12
H01L 33/00
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
02
반도체 몸체에 특징이 있는 것
12
응력 완화 구조를 가짐, 예. 버퍼층
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
33
광, 예, 적외광, 의 방출에 특별히 적용되는 적어도 한개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 반도체 장치;그들 장치 또는 그 부품의 제조, 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치;그들 장치의 세부 '
출원인: Suk Hun Lee
LG INNOTEK CO., LTD.
발명자: Suk Hun Lee
대리인: Saliwanchik, Lloyd & Eisenschenk
우선권 정보 10-2004-0111085 23.12.2004 KR
발명의 명칭: (EN) Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof
요약서: front page image
(EN)

Provided is a nitride semiconductor light emitting device including: a substrate; a first buffer layer formed above the substrate; an indium-containing second buffer layer formed above the first buffer layer; an indium-containing third buffer layer formed above the second buffer layer; a first nitride semiconductor layer formed above the third buffer layer; an active layer formed above the first nitride semiconductor layer; and a second nitride semiconductor layer formed above the active layer. According to the present invention, the crystal defects are further suppressed, so that the crystallinity of the active layer is enhanced, and the optical power and the operation reliability are enhanced.


또한로 출판 됨:
EP1829122JP2008526012US20080142781CN101073161IN772/MUMNP/2007WO/2006/068374