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1. (US20060197129) Buried and bulk channel finFET and method of making the same

특허청 : 미국
출원번호: 11073330 출원일: 03.03.2005
공개번호: 20060197129 공개일: 07.09.2006
공개유형: A1
IPC:
H01L 29/66
H01L 29/94
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
86
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭되는 전류를 흐르게 하는 하나 또는 그 이상의 전극에 단지 제공된 전류의 변화, 또는 전위의 부여만으로 제어 가능한 것
92
전위(potential-jump)장벽 또는 표면장벽 이 있는 캐패시터
94
금속-절연체-반도체, 예. MOS
출원인: TriQuint Semiconductor, Inc.
발명자: Wohlmuth Walter A.
대리인: Mr. Joseph Pugh;TriQuint Semiconductor
우선권 정보
발명의 명칭: (EN) Buried and bulk channel finFET and method of making the same
요약서: front page image
(EN)

One embodiment of a fin-field effect transistor includes a material stack including a non-inverting su surface channel, a fin of semiconductor material positioned on the material stack, the fin including first and second opposing side surfaces, and a gate electrode positioned on the first and second opposing side surfaces of the fin.