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1. (WO2019067084) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/067084 국제출원번호: PCT/US2018/044516
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 31.07.2018
IPC:
H03F 1/02 (2006.01) ,H03F 1/30 (2006.01) ,H03F 3/195 (2006.01) ,H03F 3/24 (2006.01) ,H03F 3/72 (2006.01)
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
1
증폭소자로서 전자관만을, 반도체 장치만을 또는 범용소자만을 사용한 증폭기의 세부
02
능률을 올리기 위한 증폭기의 변형, 예. A 급단에서 이용되는 것, 보조진동을 이용하는 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
1
증폭소자로서 전자관만을, 반도체 장치만을 또는 범용소자만을 사용한 증폭기의 세부
30
온도변화 또는 공급전압 변화의 영향을 저감하기 위한 증폭기의 변형
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
189
고주파증폭기, 예. 무선주파증폭기
19
반도체장치만이 있는 것
195
집적회로에 있어서의 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
20
전력증폭기, 예. B급증폭기, C급증폭기
24
송신기 출력단에 있어서의 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
F
증폭기
3
증폭소자로써 전자관만 또는 반도체장치만이 있는 증폭기
72
게이트증폭기, 즉 제어신호에 의해서 동작 또는 비동작으로 되는 증폭기
출원인:
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, Massachusetts 02451-1449, US
발명자:
LAIGHTON, Christopher, M.; US
BIELUNIS, Alan, J.; US
WATTERS, Edward, A.; US
대리인:
MOFFORD, Donald, F.; US
ROBINSON, Kermit; US
DURKEE, Paul, D.; US
MILMAN, Seth, A.; US
MOOSEY, Anthony, T.; US
DALY, Christopher, S.; US
CROWLEY, Judith, C.; US
DOWNING, Marianne, M.; US
FLINDERS, Matthew; US
BLAU, David, E.; US
SICARD, Keri, E.; US
DUBUC, Marisa, J.; US
LEE, Lewis, J.; US
DIMOV, Kiril, O.; US
우선권 정보:
15/718,50428.09.2017US
발명의 명칭: (EN) RADIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE RADIOFRÉQUENCE
요약서:
(EN) An amplifier (10) having a Radio Frequency (RF) power level detector circuit (12) for producing a control signal in accordance with a power level of an RF input signal. The control signal indicates whether the power level of the input signal is within a predetermined range of power levels greater than zero. A bias circuit (16) is fed by the control signal, for producing a fixed bias voltage at a gate electrode of a field effect transistor (FET) to establish a predetermined quiescent current for the FET when the control signal indicates the power level of the RF input signal is within the predetermined range of power levels and to reduce the bias voltage to reduce the predetermined quiescent current when the control signal indicates the power level of the RF input signal is below the predetermined range of power levels.
(FR) La présente invention concerne un amplificateur (10) comprenant un circuit détecteur de niveau de puissance radiofréquence (RF) destiné à produire un signal de commande en fonction d'un niveau de puissance d'un signal d'entrée RF. Le signal de commande indique si le niveau de puissance du signal d'entrée se trouve dans une plage prédéterminée de niveaux de puissance supérieur à zéro. Un circuit de polarisation (16) est alimenté au moyen du signal de commande, de façon à produire une tension de polarisation fixe au niveau d'une électrode de grille d'un transistor à effet de champ (FET) afin d'établir un courant de repos prédéterminé destiné au FET lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF se trouve dans la plage prédéterminée de niveaux de puissance et de façon à réduire la tension de polarisation afin de réduire le courant de repos prédéterminé lorsque le signal de commande indique que le niveau de puissance du signal d'entrée RF est inférieur à la plage prédéterminée de niveaux de puissance.
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)