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1. (WO2019066935) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/066935 국제출원번호: PCT/US2017/054471
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 29.09.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
70
하나의 공통기판상 또는 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치 그에 대한 특정부품의 제조 또는 처리; 집적회로장치 또는 그에 대한 특정부품의 제조.
77
하나의 공통기판상 혹은 기판내에 형성된 복수의 고체구성부품 또는 집적회로로 이루어진 장치의 제조 또는 처리
78
상기기판을 복수의 개별장치로 분할
82
복수의 구성부품으로 각각 구성된 장치(예. 집적회로)의 생성
822
기판이 실리콘 기술을 이용한 반도체인 것
8232
전계효과 관련 기술
8234
MIS 관련 기술
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Blvd Santa Clara, California 95054, US
발명자:
RADOSAVLJEVIC, Marko; US
THEN, Han Wui; US
DASGUPTA, Sansaptak; US
대리인:
HOWARD, James; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) GROUP III-NITRIDE (III-N) DEVICES WITH REDUCED CONTACT RESISTANCE AND THEIR METHODS OF FABRICATION
(FR) DISPOSITIFS EN NITRURE DU GROUPE III (III-N) À RÉSISTANCE DE CONTACT RÉDUITE ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION
요약서:
(EN) A device including a III-N material is described. In an example, the device has terminal structure having a first group III-Nitride (III-N) material. The terminal structure has a central body and a first plurality of fins, and a second plurality of fins, opposite the first plurality of fins. A polarization charge inducing layer is above a first portion of the central body. A gate electrode is above the polarization charge inducing layer. The device further includes a source structure and a drain structure, each including impurity dopants, on opposite sides of the gate electrode and on the plurality of fins, and a source contact on the source structure and a drain contact on the drain structure.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un matériau III-N. Dans un exemple, le dispositif présente une structure de borne comprenant un premier matériau de nitrure du groupe III (III-N). La structure de borne comporte un corps central ainsi qu'une première pluralité d'ailettes et une seconde pluralité d'ailettes, opposées à la première pluralité d'ailettes. Une couche induisant une charge de polarisation est située au-dessus d'une première partie du corps central. Une électrode grille est située sur la couche induisant une charge de polarisation. Le dispositif comprend en outre une structure de source et une structure de drain, comprenant chacune des dopants d'impuretés, sur des côtés opposés de l'électrode grille et sur la pluralité d'ailettes, ainsi qu'un contact de source sur la structure de source et un contact de drain sur la structure de drain.
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아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)