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1. (WO2019066926) SPACER-PATTERNED INVERTERS BASED ON THIN-FILM TRANSISTORS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/066926 국제출원번호: PCT/US2017/054413
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 29.09.2017
IPC:
H01L 29/786 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
SHARMA, Abhishek A. [IN/US]; US
LE, Van H. [US/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
RACHMADY, Willy [ID/US]; US
발명자:
SHARMA, Abhishek A.; US
LE, Van H.; US
DEWEY, Gilbert; US
RACHMADY, Willy; US
대리인:
WANG, Yuke; US
PUGH, Joseph A.; US
COFIELD, Michael A.; US
BLANK, Eric S.; US
ROJO, Estiven; US
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) SPACER-PATTERNED INVERTERS BASED ON THIN-FILM TRANSISTORS
(FR) ONDULEURS À MOTIFS D'ÉLÉMENTS D'ESPACEMENT BASÉS SUR DES TRANSISTORS EN COUCHES MINCES
요약서:
(EN) A semiconductor device may include a first gate electrode and a second gate electrode. A first channel area and a second channel area may be above the first gate electrode, where the first channel area may include a first type channel material, and the second channel area may include a second type channel material. A third channel area and a fourth channel area may be above the second gate electrode, where the third channel area may include the first type channel material, and the fourth channel area may include the second type channel material. The third channel area may be separated from the first channel area by a spacer. An inverter may include the first gate electrode, the first channel area, and the second channel area, while another inverter may include the second gate electrode, the third channel area, and the fourth channel area. Other embodiments may be described/claimed.
(FR) L’invention concerne un dispositif semi-conducteur pouvant comprendre une première électrode grille et une seconde électrode grille. Une première zone de canal et une seconde zone de canal peuvent être au-dessus de la première électrode grille, la première zone de canal pouvant comprendre un matériau de canal de premier type, et la seconde zone de canal pouvant comprendre un matériau de canal de second type. Une troisième zone de canal et une quatrième zone de canal peuvent être au-dessus de la deuxième électrode grille, la troisième zone de canal pouvant comprendre le matériau de canal de premier type, et la quatrième zone de canal pouvant comprendre le matériau de canal de second type. La troisième zone de canal peut être séparée de la première zone de canal par un élément d'espacement. Un onduleur peut comprendre la première électrode grille, la première zone de canal et la seconde zone de canal, tandis qu'un autre onduleur peut comprendre la deuxième électrode grille, la troisième zone de canal et la quatrième zone de canal. L'invention concerne également d'autres modes de réalisation.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)