이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2019066880) GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN STRUCTURES
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/066880 국제출원번호: PCT/US2017/054193
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 28.09.2017
IPC:
H01L 29/78 (2006.01) ,H01L 29/423 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
40
전극(Electrodes)
41
그들의 형상, 상대적 크기 또는 배치에 특징이 있는 것
423
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
출원인:
INTEL CORPORATION [US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95054, US
MA, Sean T. [US/US]; US
DEWEY, Gilbert [US/US]; US
RACHMADY, Willy [ID/US]; US
KENNEL, Harold W. [US/US]; US
HUANG, Cheng-Ying; US
METZ, Matthew V. [US/US]; US
MINUTILLO, Nicholas G. [US/US]; US
KAVALIEROS, Jack T. [US/US]; US
MURTHY, Anand S. [US/US]; US
발명자:
MA, Sean T.; US
DEWEY, Gilbert; US
RACHMADY, Willy; US
KENNEL, Harold W.; US
HUANG, Cheng-Ying; US
METZ, Matthew V.; US
MINUTILLO, Nicholas G.; US
KAVALIEROS, Jack T.; US
MURTHY, Anand S.; US
대리인:
BRASK, Justin K.; US
AUYEUNG, Al; US
BERNADICOU, Michael A.; US
BLAIR, Steven R.; US
BLANK, Eric S.; US
COFIELD, Michael A.; US
DANSKIN, Timothy A.; US
HALEVA, Aaron S.; US
MAKI, Nathan R.; US
MARLINK, Jeffrey S.; US
MOORE, Michael S.; US
PARKER, Wesley E.; US
PUGH, Joseph A.; US
RASKIN, Vladimir; US
STRAUSS, Ryan N.; US
WANG, Yuke; US
YATES, Steven D.; US
SULLIVAN, Stephen G.; US
ROJO, Estiven; US
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) GROUP III-V SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING ASYMMETRIC SOURCE AND DRAIN STRUCTURES
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR DU GROUPE III-V AYANT DES STRUCTURES DE SOURCE ET DE DRAIN ASYMÉTRIQUES
요약서:
(EN) Group III-V semiconductor devices having asymmetric source and drain structures and their methods of fabrication are described. In an example, an integrated circuit structure includes a gallium arsenide layer on a substrate. A channel structure is on the gallium arsenide layer. The channel structure includes indium, gallium and arsenic. A source structure is at a first end of the channel structure and a drain structure is at a second end of the channel structure. The drain structure has a wider band gap than the source structure. A gate structure is over the channel structure.
(FR) L'invention porte sur des dispositifs à semi-conducteur du groupe III-V ayant des structures de source et de drain asymétriques, et sur leurs procédés de fabrication. Dans un exemple, une structure de circuit intégré comprend une couche d'arséniure de gallium sur un substrat. Une structure de canal se trouve sur la couche d'arséniure de gallium. La structure de canal comprend de l'indium, du gallium et de l'arsenic. Une structure de source se trouve à une première extrémité de la structure de canal et une structure de drain se trouve à une seconde extrémité de la structure de canal. La structure de drain a une bande interdite plus large que celle de la structure de source. Une structure de grille se trouve au-dessus de la structure de canal.
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)