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1. (WO2019066163) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/066163 국제출원번호: PCT/KR2018/001993
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 19.02.2018
IPC:
G01N 27/12 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
N
재료의 화학적 또는 물리적 성질의 검출에 의한 재료의 조사 또는 분석
27
전기적, 전기화학적 또는 자기적 수단의 이용에 의한 재료의 조사 또는 분석
02
임피던스의 조사에 의한 것
04
저항의 조사에 의한 것
12
유체의 흡수에 의한 고체의; 유체와의 반응에 의한 고체의
출원인:
(재)한국나노기술원 KOREA ADVANCED NANO FAB CENTER [KR/KR]; 경기도 수원시 영통구 광교로 109 (이의동) (lui-dong) 109, Gwanggyo-ro, Yeongtong-gu Suwon-si Gyeonggi-do 16229, KR
발명자:
박경호 PARK, Kyungho; KR
조주영 CHO, Chuyoung; KR
박형호 PARK, Hyeong Ho; KR
고유민 KOH, Yu Min; KR
대리인:
이준성 LEE, Joon Sung; KR
우선권 정보:
10-2017-012425026.09.2017KR
발명의 명칭: (EN) GALLIUM NITRIDE-BASED SENSOR HAVING PHOTOSTIMULATABLE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) CAPTEUR À BASE DE NITRURE DE GALLIUM POSSÉDANT UNE STRUCTURE PHOTOSTIMULABLE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법
요약서:
(EN) The present invention relates to a gallium nitride-based sensor having a photostimulatable structure and a manufacturing method therefor. The method comprises the steps of: growing an LED epitaxial layer on a substrate; growing a high-resistance (HR)-GaN layer on the LED epitaxial layer; sequentially growing one selected from the group consisting of a u-GaN layer and AlxGa1-xN layer and an InxAl1-xN layer and InxAlyGa1-x-yN layer on the HR-GaN layer; performing a patterning process to allow the formation of an electrode on the LED epitaxial layer; forming an electrode according to the pattern established on the LED epitaxial layer; and forming a sensing material layer on the one layer selected from the group consisting of the AlxGa1-xN layer, the InxAl1-xN layer, and the InxAlyGa1-x-yN layer.
(FR) La présente invention concerne un capteur à base de nitrure de gallium possédant une structure photostimulable et son procédé de fabrication. Le procédé comprend les étapes consistant à : faire croître une couche épitaxiale de DEL sur un substrat ; faire croître une couche de (HR)-GaN à haute résistance sur la couche épitaxiale de DEL ; faire croître successivement une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de u-GaN et d'une couche de AlxGa1-xN, et d'une couche de InxAl1-xN et d'une couche de InxAlyGa1-x-yN sur la couche de HR-GaN ; mettre en œuvre un procédé de formation de motif pour permettre la formation d'une électrode sur la couche épitaxiale de DEL ; former une électrode selon le motif dessiné sur la couche épitaxiale de DEL ; et former une couche d'un matériau de détection sur ladite couche, sélectionnée dans le groupe constitué de la couche d'AlxGa1-xN, la couche de InxAl1-xN et la couche de InxAlyGa1-x-yN.
(KO) 광자극 구조를 구비한 질화갈륨계 센서 및 그 제조 방법으로, 기판에 LED 에피층을 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층 상에 HR(High-resistance)-GaN 층을 성장시키는 단계와; 상기 HR-GaN 층 상에 u-GaN 층 및 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층을 순차적으로 성장시키는 단계와; 상기 LED 에피층에 전극을 형성할 수 있도록 패터닝을 수행하는 단계와; 상기 LED 에피층에 형성된 패턴에 따라 전극을 형성시키는 단계와; 상기 AlxGa1-xN층, InxAl1-xN층 및 InxAlyGa1-x-yN층으로 이루어지는 군에서 선택되는 1종의 층 상에 검지물질층을 형성시키는 단계를 포함한다.
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공개언어: 한국어 (KO)
출원언어: 한국어 (KO)