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1. (WO2019065710) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/065710 국제출원번호: PCT/JP2018/035627
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 26.09.2018
IPC:
H01L 21/683 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
67
제조 또는 처리중의 반도체 또는 전기 고체 장치 취급에 특별히 적용되는 장치; 반도체 또는 전기 고체 장치 혹은 구성부품의 제조 또는 처리중의 웨이퍼 취급에 특별히 적용되는 장치
683
지지 또는 파지를 위한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
306
화학적 또는 전기적 처리. 예. 전해에칭
3065
플라스마(plasma) 에칭; 반응성 이온 에칭
출원인:
住友大阪セメント株式会社 SUMITOMO OSAKA CEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区六番町6番地28 6-28, Rokuban-cho, Chiyoda-ku, Tokyo 1028465, JP
발명자:
小坂井 守 KOSAKAI Mamoru; JP
尾崎 雅樹 OZAKI Masaki; JP
前田 佳祐 MAEDA Keisuke; JP
대리인:
西澤 和純 NISHIZAWA Kazuyoshi; JP
佐藤 彰雄 SATO Akio; JP
萩原 綾夏 HAGIWARA Ayaka; JP
우선권 정보:
2017-18971829.09.2017JP
2017-18971929.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PORTE-SUBSTRAT ÉLECTROSTATIQUE
(JA) 静電チャック装置
요약서:
(EN) This electrostatic chuck device is provided with: an electrostatic chuck part that has a sample placement surface on which a sample is placed, and that has a first electrode for electrostatic attraction; a cooling base part that cools the electrostatic chuck part, and that is positioned on the opposite side of the electrostatic chuck part from the sample placement surface; and an adhesive layer that bonds the electrostatic chuck part and the cooling base part. The electrostatic chuck part has recesses and protrusions on the adhesive layer side, and the surface resistance value of the first electrode is greater than 1.0 Ω/□ and lower than 1.0x1010 Ω/□.
(FR) Le dispositif de porte-substrat électrostatique selon l'invention comporte: une partie porte-substrat électrostatique possédant une première électrode pour attraction électrostatique et possédant également une surface destinée à supporter un échantillon; une partie base de refroidissement pour refroidir la partie porte-substrat électrostatique située à l'opposé de la surface destinée à supporter un échantillon de la partie porte-substrat électrostatique; et une couche adhésive pour joindre la partie porte-substrat électrostatique et la partie base de refroidissement. La partie porte-substrat électrostatique est en relief côté couche adhésive, et la valeur de résistance superficielle de la première électrode est supérieure à 1,0Ω/□ et inférieure à 1,0X1010Ω/□.
(JA) 静電チャック装置は、試料を載置する試料載置面を有するとともに静電吸着用の第1の電極を有する静電チャック部と、静電チャック部に対し試料載置面とは反対側に載置され静電チャック部を冷却する冷却ベース部と、静電チャック部と前記冷却ベース部とを接着する接着層と、を備え、静電チャック部は、接着層の側に凹凸を有しており、第1の電極の面抵抗値が1.0Ω/□よりも高く1.0×1010Ω/□よりも低い。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)