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1. (WO2019065003) LASER IRRADIATION DEVICE, LASER IRRADIATION METHOD AND PROJECTION MASK
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/065003 국제출원번호: PCT/JP2018/030866
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 21.08.2018
IPC:
H01L 21/268 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
26
파동 또는 입자 복사선의 조사
263
고에너지 복사선을 이용하는 것
268
전자파(예. 레이저 광선)을 이용하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
334
유니폴라(unipolar)형 장치를 제조하기 위한 다단계공정
335
전계효과 트랜지스터(FET)
336
절연게이트를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
출원인:
株式会社ブイ・テクノロジー V TECHNOLOGY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県横浜市保土ヶ谷区神戸町134番地 134, Godo-cho, Hodogaya-ku, Yokohama-shi, Kanagawa 2400005, JP
발명자:
水村 通伸 MIZUMURA Michinobu; JP
대리인:
特許業務法人白坂 SHIRASAKA & PATENT PARTNERS; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 新丸の内ビルディング10階EGG JAPAN EGG JAPAN 10F Shin-Marunouchi Building, 1-5-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006510, JP
우선권 정보:
2017-18549726.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) LASER IRRADIATION DEVICE, LASER IRRADIATION METHOD AND PROJECTION MASK
(FR) DISPOSITIF D'IRRADIATION PAR LASER, PROCÉDÉ D'IRRADIATION PAR LASER ET MASQUE DE PROJECTION
(JA) レーザ照射装置、レーザ照射方法及び投影マスク
요약서:
(EN) In one embodiment of the present invention, the laser irradiation device is characterized by comprising a light source that generates laser light, a projection lens that irradiates the laser light onto predetermined regions of a thin amorphous silicon film deposited on a substrate, and a projection mask pattern provided above the projection lens having a plurality of openings that allow the laser light to be irradiated onto the predetermined regions of the thin amorphous silicon film, wherein each of the plurality of openings have a transmittance based on the projection magnification of the projection lens.
(FR) Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif d'irradiation par laser est caractérisé en ce qu'il comprend une source de lumière qui génère une lumière laser, un objectif de projection qui projette la lumière laser sur des régions prédéterminées d'un film de silicium amorphe mince, déposé sur un substrat, et un motif de masque de projection disposé au-dessus de l'objectif de projection ayant plusieurs ouvertures qui permettent à la lumière laser d'être projetée sur les régions prédéterminées du film de silicium amorphe mince, chacune des ouvertures ayant un facteur de transmission fondé sur le grossissement de projection de l'objectif de projection.
(JA) 本発明の一実施形態におけるレーザ照射装置は、レーザ光を発生する光源と、基板上に被着されたアモルファスシリコン薄膜の所定の領域に、前記レーザ光を照射する投影レンズと、前記投影レンズ上に設けられ、前記アモルファスシリコン薄膜の所定の領域に対して前記レーザ光が照射されるように、複数の開口部が設けられた投影マスクパターンと、を備え、前記複数の開口部の各々は、前記投影レンズの投影倍率に基づく透過率を有することを特徴とする。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)