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1. (WO2019064775) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/064775 국제출원번호: PCT/JP2018/025007
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 02.07.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/12 (2006.01) ,H01L 23/36 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
03
장치가 모두 그룹 H01L 27/00 ~ H01L 51/00의 동일 서브그룹에 분류되는 형식의 것, 예. 정류다이오드의 조립체
04
개별의 용기가 없는 것
07
장치가 그룹 29/00으로 분류되는 형식의 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
12
마운트, 예. 분리할 수 없는 절연기판
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
34
냉각, 가열, 환기 또는 온도 보상용 배열
36
냉각 또는 가열을 용이하게 하기 위한 재료의 선택 또는 성형, 예. 히트.싱크
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
25
복수의 개별 반도체 또는 다른 고체장치로 구성된 조립체
18
장치가 그룹 H01L 27/00~ H01L 51/00 중 동일메인그룹에서 2개 또는 그 이상의 상이한 서브그룹에 분류되는 형식의 것
출원인:
日立金属株式会社 HITACHI METALS, LTD. [JP/JP]; 東京都港区港南一丁目2番70号 2-70, Konan 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1088224, JP
발명자:
谷江 尚史 TANIE Hisashi; JP
島津 ひろみ SHIMAZU Hiromi; JP
伊藤 博之 ITO Hiroyuki; JP
대리인:
特許業務法人平木国際特許事務所 HIRAKI & ASSOCIATES; 東京都港区愛宕二丁目5-1 愛宕グリーンヒルズMORIタワー32階 Atago Green Hills MORI Tower 32F, 5-1, Atago 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1056232, JP
우선권 정보:
2017-18966729.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 半導体装置およびその製造方法
요약서:
(EN) The objective of the present invention is to provide a technique that ensures conduction between a gate terminal of a semiconductor switching element and a wiring layer in a semiconductor device formed with a wiring layer inside a ceramic layer. This semiconductor device comprises: a wiring layer that is inside a ceramic layer formed above an insulation layer; and a metal layer for connecting terminals from the semiconductor switching element other than the gate terminal. The wiring layer and the gate terminal from the semiconductor switching element are connected electrically via a connection part formed from a conductive material. The connection part protrudes more than the metal layer toward the semiconductor switching element (see FIG. 1).
(FR) L'objectif de la présente invention est de fournir une technique qui assure la conduction entre une borne de grille d'un élément de commutation à semi-conducteur et une couche de câblage dans un dispositif à semi-conducteur formé avec une couche de câblage à l'intérieur d'une couche de céramique. Ce dispositif à semi-conducteur comprend : une couche de câblage qui est à l'intérieur d'une couche de céramique formée au-dessus d'une couche d'isolation ; et une couche métallique pour connecter des bornes de l'élément de commutation à semi-conducteur autre que la borne de grille. La couche de câblage et la borne de grille de l'élément de commutation à semi-conducteur sont connectées électriquement par l'intermédiaire d'une partie de connexion formée à partir d'un matériau conducteur. La partie de connexion fait saillie plus que la couche métallique vers l'élément de commutation à semi-conducteur (voir FIG. 1).
(JA) 本発明は、セラミックス層のなかに配線層を形成する半導体装置において、半導体スイッチング素子のゲート端子と配線層との間の導通を確実に得ることができる技術を提供することを目的とする。本発明に係る半導体装置は、絶縁層上に形成されたセラミックス層の内部に配線層を有するとともに、半導体スイッチング素子のゲート端子以外の端子を接続する金属層を有しており、前記半導体スイッチング素子のゲート端子と前記配線層は、導電材料によって形成された接続部を介して電気的に接続されており、前記接続部は前記半導体スイッチング素子に向かって前記金属層よりも突出している(図1参照)。
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)