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1. (WO2019064172) PHOTORESIST PATTERNING ON SILICON NITRIDE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/064172 국제출원번호: PCT/IB2018/057394
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 25.09.2018
IPC:
G03F 7/00 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
03
전자사진; 광파 이외의 파를 사용하는 유사기술; 영화; 사진; 홀로그래피(Holography)
F
사진제판법에 의한 요철화 또는 패턴화 표면의 제조, 예. 인쇄용, 반도체장치의 제조법용; 그것을 위한 재료; 그것을 위한 원료; 그것을 위한 특별히 적합한 장치
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사진제판법, 예 사진석판법에 의한 요철화 또는 패턴화된 표면의 제조, 예. 인쇄표면의 제조 그것을 위한 재료, 예. 포토레지스트로 된 것 그것을 위하여 특히 적합한 장치
출원인:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
발명자:
SESHADRI, Indira; US
DE SILVA, Ekmini, Anuja; US
LIU, Chi-Chun; US
CHI, Cheng; US
GUO, Jing; US
MELI THOMPSON, Luciana; US
대리인:
GASCOYNE, Belinda; GB
우선권 정보:
15/719,60829.09.2017US
발명의 명칭: (EN) PHOTORESIST PATTERNING ON SILICON NITRIDE
(FR) FORMATION DE MOTIFS DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE SUR DU NITRURE DE SILICIUM
요약서:
(EN) Embodiments of the present invention provide systems and methods for trapping amines. This in turn mitigates the undesired scumming and footing effects in a photoresist. The polymer brush is grafted onto a silicon nitride surface. The functional groups and molecular weight of the polymer brush provide protons and impose steric hindrance, respectively, to trap amines diffusing from a silicon nitride surface.
(FR) Selon divers modes de réalisation, la présente invention concerne des systèmes et des procédés de piégeage d'amines. Ceci permet à son tour d'atténuer les effets de graissage et de base indésirables dans une résine photosensible. La brosse en polymère est greffée sur une surface de nitrure de silicium. Les groupes fonctionnels et le poids moléculaire de la brosse en polymère fournissent des protons et imposent un empêchement stérique, respectivement, pour piéger des amines se diffusant à partir d'une surface de nitrure de silicium.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)