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1. (WO2019063771) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/063771 국제출원번호: PCT/EP2018/076419
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 28.09.2018
IPC:
H03K 19/0175 (2006.01) ,H04B 10/80 (2013.01)
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
K
펄스(PULSE)기술
19
논리회로, 즉 1출력에 작용하는 적어도 2입력이 있는 것; 쌍전(inverting)회로
0175
결합장치, 인터페이스장치
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
B
전송
10
무선파와는 다른 전자기파를 사용하는 전송 시스템, 예. 적외선, 가시 또는 자외선 광, 또는 전자미립자방사(corpuscular radiation)를 사용하는 것, 예. 양자 통신
80
그룹 H04B 10/03에서 H04B 10/70에서 제공하지 않는 특정 응용을 위한 광 전송의 사용에 관한 광학 특성, 예. 광전력 수유 또는 물을 통한 광의 전송
출원인:
INTERDIGITAL CE PATENT HOLDINGS [FR/FR]; 3 rue du colonel Moll 75017 Paris, FR
발명자:
MARCHAND, Philippe; FR
FOUQUE, Claude; FR
SALOU, Frédérique; FR
대리인:
HUCHET, Anne; FR
PERROT, Sébastien; FR
LORETTE, Anne; FR
ROLLAND, Sophie; FR
LABELLE, Lilian; FR
MORAIN, David; FR
AMOR, Rim; FR
STAHL, Niclas; FR
우선권 정보:
17306294.429.09.2017EP
발명의 명칭: (EN) GALVANIC ISOLATED DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM
(FR) DISPOSITIF ISOLÉ GALVANIQUE ET SYSTÈME CORRESPONDANT
요약서:
(EN) A device including an optoelectric circuit that is configured to provide galvanic isolation between a first circuit and a second circuit is disclosed. The optoelectric circuit includes at least one non-inverting buffer and a metal semiconductor diode. The at least one non-inverting buffer is positioned between a collector of a phototransistor and an anode of a light emitting diode. The metal semiconductor diode is positioned between the collector of the phototransistor and the at least one non-inverting buffer.
(FR) L'invention concerne un dispositif comprenant un circuit optoélectrique configuré pour assurer une isolation galvanique entre un premier et un deuxième circuit. Le circuit optoélectrique comprend au moins un tampon non inverseur et une diode à semi-conducteur métallique. Ledit tampon non inverseur au moins est positionné entre un collecteur d'un phototransistor et une anode d'une diode électroluminescente. La diode à semi-conducteur métallique est positionnée entre le collecteur du phototransistor et ledit tampon non inverseur au moins.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)