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1. (WO2019063473) INTEGRATED RADIATION DETECTOR DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보정보 제출

공개번호: WO/2019/063473 국제출원번호: PCT/EP2018/075774
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 24.09.2018
국제예비심사 청구일: 14.03.2019
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
출원인:
DETECTION TECHNOLOGY OY [FI/FI]; Elektroniikkatie 10 90590 Oulu, FI
발명자:
HEIKKINEN, Petteri; FI
MATIKKALA, Mikko; FI
대리인:
PAPULA OY; P.O. Box 981 00101 Helsinki, FI
우선권 정보:
17193925.929.09.2017EP
발명의 명칭: (EN) INTEGRATED RADIATION DETECTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTEUR DE RAYONNEMENT INTÉGRÉ
요약서:
(EN) According to an embodiment, a device comprises: a scintillator layer configured to convert x-ray or gamma ray photons into photons of visible light; a photodiode layer configured to convert visible light produced by the scintillator layer into an electric current; an integrated circuit, IC, layer situated below the photodiode layer and configured to receive and process the electric current; wherein electrical contacts of the IC layer are connected to electrical contacts of the photodiode layer using wire-bonding; and wherein the wire- bonding is covered with a protective material while bottom part of the IC layer is left at least partly exposed. Other embodiments relate to a detector comprising an array of tiles according to the device, and an imaging system comprising: an x-ray source and the detector.
(FR) La présente invention porte, selon un mode de réalisation, sur un dispositif qui comprend : une couche de scintillateur configurée de sorte à convertir des photons de rayons x ou de rayons gamma en photons de lumière visible ; une couche de photodiode configurée de sorte à convertir la lumière visible produite par la couche de scintillateur en un courant électrique ; une couche de circuit intégré (CI) située en dessous de la couche de photodiode et configurée de sorte à recevoir et à traiter le courant électrique ; des contacts électriques de la couche de circuit intégré étant raccordés à des contacts électriques de la couche de photodiode à l'aide d'une liaison filaire ; et la liaison filaire étant recouverte d'un matériau de protection tandis que la partie inférieure de la couche de circuit intégré est laissée au moins partiellement exposée. D'autres modes de réalisation se rapportent à un détecteur comprenant un réseau de pavés selon le dispositif et à un système d'imagerie comprenant : une source de rayons x et le détecteur.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
아프리카 지식재산권기구(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)