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1. (WO2019063413) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/063413 국제출원번호: PCT/EP2018/075493
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 20.09.2018
IPC:
H01L 21/02 (2006.01) ,C01B 32/956 (2017.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
[IPC code unknown for C01B 32/956]
출원인:
PSC TECHNOLOGIES GMBH [DE/DE]; Berchtesgadener Straße 8 10779 Berlin, DE
발명자:
GREULICH-WEBER, Siegmund; DE
대리인:
VON ROHR PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Dr. Alexander Freiherr von Foullon Rüttenscheider Straße 62 45130 Essen, DE
우선권 정보:
10 2017 122 708.329.09.2017DE
발명의 명칭: (EN) METHOD FOR PRODUCING A NITROGEN-FREE LAYER COMPRISING SILICON CARBIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE SANS AZOTE, PRÉSENTANT DU CARBURE DE SILICIUM
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILICIUMCARBID AUFWEISENDEN STICKSTOFFFREIEN SCHICHT
요약서:
(EN) The invention relates to a method for producing a thin nitrogen-free layer of silicon carbide by means of a solution or dispersion containing carbon and silicon.
(FR) La présente invention concerne un procédé pour produire une couche mince, sans azote, de carbure de silicium au moyen d'une solution ou d’une dispersion contenant du carbone et du silicium.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer dünnen stickstofffreien Schicht aus Siliciumcarbid mittels einer kohlenstoff- und siliciumhaltigen Lösung oder Dispersion.
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)