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1. (WO2019063411) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/063411 국제출원번호: PCT/EP2018/075486
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 20.09.2018
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/024 (2006.01) ,H01S 5/042 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
S
유도방출을 이용한 장치
5
반도체 레이저
02
레이저 동작에 필수적이지 않은 구조적인 세부 또는 부품
022
하우징; 마운팅
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
S
유도방출을 이용한 장치
5
반도체 레이저
02
레이저 동작에 필수적이지 않은 구조적인 세부 또는 부품
024
냉각장치
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
S
유도방출을 이용한 장치
5
반도체 레이저
04
여기방법 또는 그 장치, 예. 펌핑
042
전기적인 여기
출원인:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
발명자:
BACHMANN, Alexander; DE
ENZMANN, Roland Heinrich; MY
MÜLLER, Michael; DE
대리인:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
우선권 정보:
10 2017 122 330.426.09.2017DE
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) DIODE LASER À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERLASERDIODE UND HALBLEITERBAUELEMENT
요약서:
(EN) The invention relates to a semiconductor laser diode (1) comprising: - a semiconductor layer sequence (2) having an active region (20) provided for generating radiation; - a radiation decoupling surface (10) which extends perpendicular to a main extension plane of the active region; - a main surface (11) which delimits the semiconductor layer sequence in the vertical direction; - a contact layer (3) which adjoins the main surface; and - a heat-dissipating layer (4), regions of which are arranged on a side of the contact layer facing away from the active region, wherein the contact layer is exposed in places for external electrical contact of the semiconductor laser diode. The invention also relates to a semiconductor component.
(FR) L'invention concerne une diode laser à semi-conducteur (1) comprenant une succession de couches semi-conductrices (2) présentant une zone active (20) destinée à générer un rayonnement ; une surface de sortie de rayonnement (10) qui s'étend perpendiculairement à un plan principal de la zone active ; une surface principale (11) qui délimite la succession de couches semi-conductrices dans la direction verticale ; une couche de contact (3) adjacente à la surface principale ; et une couche de dissipation thermique (4) qui est disposée par endroits sur un côté de la couche de contact opposé à la zone active, la couche de contact étant apparente par endroits pour permettre une mise en contact électrique externe de la diode laser à semi-conducteur. L'invention concerne en outre un composant semi-conducteur.
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (1) angegeben, mit - einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20); - einer Strahlungsauskoppelfläche (10), die senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs verläuft; - einer Hauptfläche (11), die die Halbleiterschichtenfolge in vertikaler Richtung begrenzt; - einer Kontaktschicht (3), die an die Hauptfläche angrenzt; und - einer wärmeableitenden Schicht (4), die bereichsweise auf einer dem aktiven Bereich abgewandten Seite der Kontaktschicht angeordnet ist, wobei die Kontaktschicht stellenweise für eine externe elektrische Kontaktierung der Halbleiterlaserdiode freiliegt. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement angegeben.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 독일어 (DE)
출원언어: 독일어 (DE)