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1. (WO2019060999) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/060999 국제출원번호: PCT/CA2018/051224
공개일: 04.04.2019 국제출원일: 28.09.2018
IPC:
B82B 3/00 (2006.01) ,G06N 3/08 (2006.01) ,G01Q 60/24 (2010.01) ,G01Q 60/04 (2010.01)
B SECTION B — 처리조작; 운수
82
나노기술
B
개별단위로서의 분자, 원자들의 제한된 집합 또는 개별 원자, 분자의 조작에 의해 형성된 나노구조; 그의 취급 또는 제조
3
개별 원자 또는 분자의 조작 또는 개별 단위로서 원자 또는 분자의 제한된 집합에 의한 나노 구조의 제조 또는 처리
G SECTION G — 물리학
06
산술논리연산; 계산; 계수
N
특정 계산모델 방식의 컴퓨터시스템
3
생체모델기반 컴퓨터시스템
02
신경망 모델을 사용하는 것
08
학습방법
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
Q
스캐닝 프로브 기술 혹은 장치; 스캐닝 프로브 기술의 적용 예. 스캔 프로브 현미경
60
특별한 형태의 SPM 혹은 그 장치; 필수 구성
24
AFM 혹은 그 장비, 예. AFM 프로브
G SECTION G — 물리학
01
측정; 시험
Q
스캐닝 프로브 기술 혹은 장치; 스캐닝 프로브 기술의 적용 예. 스캔 프로브 현미경
60
특별한 형태의 SPM 혹은 그 장치; 필수 구성
02
복수형의 SPM 예. 두 개 혹은 더 많은 SPM 기술을 포함하는 것
04
AFM 과 결합된 STM
출원인:
QUANTUM SILICON INC. [CA/CA]; 11421 Saskatchewan Drive Edmonton, Alberta T6G 2M9, CA
발명자:
WOLKOW, Robert; CA
RASHIDI, Mohammad; CA
VINE, Wyatt; CA
DIENEL, Thomas; CA
LIVADARU, Lucian; CA
HUFF, Taleana; CA
RETALLICK, Jacob; CA
WALUS, Konrad; CA
대리인:
RIDOUT & MAYBEE LLP; 5500 North Service Road Suite 101 Burlington, Ontario L7L 6W6, CA
LEACH, Steven; CA
우선권 정보:
62/564,73428.09.2017US
발명의 명칭: (EN) INITIATING AND MONITORING THE EVOLUTION OF SINGLE ELECTRONS WITHIN ATOM-DEFINED STRUCTURES
(FR) INITIATION ET SURVEILLANCE DE L'ÉVOLUTION D'ÉLECTRONS INDIVIDUELS DANS DES STRUCTURES DÉFINIES PAR UN ATOME
요약서:
(EN) A method for the patterning and control of single electrons on a surface is provided that includes implementing scanning tunneling microscopy hydrogen lithography with a scanning probe microscope to form charge structures with one or more confined charges; performing a series of field-free atomic force microscopy measurements on the charge structures with different tip heights, where interaction between the tip and the confined charge are elucidated; and adjusting tip heights to controllably position charges within the structures to write a given charge state. The present disclose also provides a Gibb's distribution machine formed with the method for the patterning and control of single electrons on a surface. A multi bit true random number generator and neural network learning hardware formed with the above described method are also provided.
(FR) L'invention concerne un procédé destiné à la formation de motifs et la commande d'électrons individuels sur une surface, qui comprend la mise en œuvre d'une lithographie à l'hydrogène par microscopie à effet tunnel à balayage utilisant un microscope à sonde à balayage pour former des structures de charge comptant au moins une charge confinée ; la réalisation d'une série de mesures de microscopie à force atomique sans champ sur les structures de charge selon différentes hauteurs de pointe, l'interaction entre la pointe et la charge confinée étant élucidée ; et le réglage de hauteurs de pointe pour positionner de manière réglable des charges à l'intérieur des structures, pour écrire un état de charge donné. La présente invention concerne également une machine de distribution de Gibb, formée selon le procédé de formation de motifs et de commande d'électrons individuels sur une surface. L'invention concerne également un générateur de nombres aléatoires vrais multi-bits et un matériel d'apprentissage de réseau neuronal formé selon le procédé décrit ci-dessus.
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유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)