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1. (WO2019049823) ACOUSTIC WAVE FILTER DEVICE AND COMPOSITE FILTER DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/049823 국제출원번호: PCT/JP2018/032601
공개일: 14.03.2019 국제출원일: 03.09.2018
IPC:
H03H 9/25 (2006.01) ,H03H 9/145 (2006.01) ,H03H 9/17 (2006.01) ,H03H 9/64 (2006.01) ,H03H 9/72 (2006.01)
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
25
탄성표면파를 사용하는 공진기의 구조상의 특징
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
02
세부
125
구동수단, 예. 전극, 코일
145
탄성표면파를 사용하는 회로망을 위한 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
15
압전전기(piezo) 전기 또는 전왜재료로서 되는 공진기의 구조상의 특징
17
단일의 공진기를 갖는 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
46
여파기
64
탄성표면파를 사용하는 것
H SECTION H — 전기
03
기본전자회로
H
임피던스회로망, 예. 공진회로; 공진기
9
전기기계적 또는 전기음향적 요소를 포함하는 회로망; 전기기계적 공진기
70
상이한 주파수 또는 주파수대역에서 동작하는 약간의 전원 또는 부하을 공통의 부하 또는 전원에 접속하기 위한 다단자 회로망
72
탄성표면파를 사용하는 회로망
출원인:
株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 京都府長岡京市東神足1丁目10番1号 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555, JP
발명자:
高峰 裕一 TAKAMINE, Yuichi; JP
대리인:
特許業務法人 宮▲崎▼・目次特許事務所 MIYAZAKI & METSUGI; 大阪府大阪市中央区常盤町1丁目3番8号 中央大通FNビル Chuo Odori FN Bldg., 3-8, Tokiwamachi 1-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400028, JP
우선권 정보:
2017-17189107.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) ACOUSTIC WAVE FILTER DEVICE AND COMPOSITE FILTER DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE FILTRE À ONDES ACOUSTIQUES, FILTRE ET DISPOSITIF DE FILTRE COMPOSITE
(JA) 弾性波フィルタ装置及び複合フィルタ装置
요약서:
(EN) Provided is an acoustic wave filter device which has excellent linearity, and which has a structure wherein layers are laminated between a substrate that is formed from a semiconductor and a piezoelectric layer, said layers being composed of a different material. An acoustic wave filter device which comprises a plurality of acoustic wave resonators; and each one of the acoustic wave resonators comprises a piezoelectric layer 16 and an IDT electrode 17 which is provided on the piezoelectric layer 16. A low acoustic velocity film 15 and a substrate 14 that is formed from a semiconductor are laminated on a surface of the piezoelectric layer 16, said surface being on the reverse side of the surface on which the IDT electrode 17 is provided; and a routing wire 13, which is connected to an antenna terminal 3, is arranged on an insulating film 12 that is provided on the piezoelectric layer 16.
(FR) Cette invention concerne un dispositif de filtre à ondes acoustiques qui a une excellente linéarité, et qui a une structure dans laquelle des couches sont stratifiées entre un substrat qui est formé à partir d'un semi-conducteur et une couche piézoélectrique, lesdites couches étant composées d'un matériau différent. Plus particulièrement, l'invention concerne un dispositif de filtre à ondes acoustiques qui comprend une pluralité de résonateurs à ondes acoustiques, et chacun des résonateurs à ondes acoustiques comprenant une couche piézoélectrique (16) et une électrode interdigitée (17) qui est disposée sur la couche piézoélectrique (16). Un film à faible vitesse acoustique (15) et un substrat (14) qui est formé à partir d'un semi-conducteur sont stratifiés sur une surface de la couche piézoélectrique (16), ladite surface étant sur le côté inverse de la surface sur laquelle est disposée l'électrode interdigitée (17) ; et un fil de routage (13), qui est connecté à une borne d'antenne (3), est disposé sur un film isolant (12) qui est disposé sur la couche piézoélectrique (16).
(JA) 半導体からなる基板と圧電体層との間に他の材料が積層されている構造を有する弾性波フィルタ装置であって、線形性に優れた弾性波フィルタ装置を提供する。 複数の弾性波共振子を有し、各弾性波共振子が、圧電体層16と、圧電体層16上に設けられたIDT電極17とを有し、圧電体層16のIDT電極17が設けられている側とは逆の面に低音速膜15及び半導体からなる基板14が積層されており、アンテナ端子3に接続される引き回し配線13が、圧電体層16上に設けられた絶縁膜12上に配置されている、弾性波フィルタ装置。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)