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1. (WO2019049780) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/049780 국제출원번호: PCT/JP2018/032339
공개일: 14.03.2019 국제출원일: 31.08.2018
IPC:
H02M 7/48 (2007.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01R 4/02 (2006.01) ,H01R 43/02 (2006.01)
H SECTION H — 전기
02
전력의 발전, 변환, 배전
M
교류-교류, 교류-직류 또는 직류-직류변환장치 및 주요한 또는 유사한 전력공급장치와 함께 사용하기 위한 장치; 직류 또는 교류입력의 서지 출력변환; 그것을 제어 또는 조정
7
교류입력-직류출력변환; 직류입력-교류출력변환
42
직류입력-교류변환으로서 비가역적인 것
44
정지형 변환기에 의한 것
48
제어전극이 있는 방전관을 사용하는 정지형 컨버터 또는 제어전극이 있는 반도체장치를 사용하는 정지형 컨버터에 의한 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
23
반도체 또는 다른 고체장치의 세부
48
동작중의 고체본체에서 또는 고체본체로 전류를 흐르게 하기 위한 배열, 예. 리이드 또는 단자배열
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
R
도전접속; 복수의 다중-절연된 전기접속부의 구조적 결합; 결합장치; 집전장치
4
2개 또는 그 이상의 도전부재간의 직접접촉, 즉 서로의 접촉에 의한 도전접속 및 그 접촉을 달성하고 또는 보지하는 수단; 도전체를 위한 2개 또는 그 이상의 간격을 둔 접속위치를 제공하고 절연물을 관통하는 접촉부재를 사용하는 도전접속; 접속장치 H01R 12/70, H01R 24/00에서 H01R 33/00까지; 가요성 또는 회전가능한 전선접속기 H01R 35/00; 비회전형 집전장치 H01R 41/00
02
납땜 또는 용접접속
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
R
도전접속; 복수의 다중-절연된 전기접속부의 구조적 결합; 결합장치; 집전장치
43
전선접속기 또는 집전장치의 제조. 조립, 보수 또는 수리를 위한 또는 도체접속을 위하여 특별히 채용되는 장치 또는 방법
02
납땜(soldered) 또는 용접접속을 위한 것
출원인:
株式会社デンソー DENSO CORPORATION [JP/JP]; 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 1-1, Showa-cho, Kariya-city, Aichi 4488661, JP
발명자:
原田 脩央 HARADA Naohisa; JP
近藤 浩 KONDO Hiroshi; JP
石川 喬介 ISHIKAWA Kyosuke; JP
川出 篤 KAWADE Atsushi; JP
대리인:
特許業務法人あいち国際特許事務所 AICHI, TAKAHASHI, IWAKURA & ASSOCIATES; 愛知県名古屋市中村区名駅3丁目26番19号 名駅永田ビル Meieki Nagata Building, 26-19, Meieki 3-chome, Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
우선권 정보:
2017-17040405.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR MODULE BONDING STRUCTURE AND BONDING METHOD
(FR) STRUCTURE DE LIAISON DE MODULE À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE LIAISON
(JA) 半導体モジュールの接合構造及び接合方法
요약서:
(EN) A semiconductor module bonding structure (4a) comprises: a semiconductor module (11) including a semiconductor element (12) and a positive electrode terminal (12p) serving as a plate-like power terminal electrically connected to the semiconductor element (12); and a main P-bus bar (6) serving as a bus bar including a plate-like bonding portion (7) bonded to the positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11). The positive electrode terminal (12p) of the semiconductor module (11) and the bonding portion (7) of the main P-bus bar (6) are configured such that the positive electrode terminal (12p), which has a relatively smaller plate thickness, has a plate width greater than a plate width of the bonding portion (7), which has a relatively greater plate thickness. The positive electrode terminal (12p) and the bonding portion (7) are bonded to each other by performing fusion-welding in an arrangement in which the respective plate thickness directions are orthogonal to each other.
(FR) L'invention concerne une structure de liaison de module à semi-conducteur (4a) comprenant : un module à semi-conducteur (11) comprenant un élément semi-conducteur (12) et une borne d'électrode positive (12p) servant de borne électrique tabulaire connectée électriquement à l'élément semi-conducteur (12) ; et une barre omnibus P principale (6) servant de barre omnibus comprenant une partie de liaison tabulaire (7) liée à la borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11). La borne d'électrode positive (12p) du module à semi-conducteur (11) et la partie de liaison (7) de la barre omnibus P principale (6) sont conçues de telle sorte que la borne d'électrode positive (12p), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus petite, présente une largeur de plaque supérieure à une largeur de plaque de la partie de liaison (7), dont l'épaisseur de plaque est relativement plus grande. La borne d'électrode positive (12p) et la partie de liaison (7) sont liées l'une à l'autre par réalisation d'un soudage par fusion dans un agencement dans lequel les directions d'épaisseur de plaque respectives sont orthogonales l'une à l'autre.
(JA) 半導体モジュールの接合構造(4a)は、半導体素子(12)と、半導体素子(12)に電気的に接続された板状のパワー端子としての正極端子(12p)と、を有する半導体モジュール(11)と、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)に接合された板状の接合部(7)を有するバスバーとしての主Pバスバー(6)と、を備え、半導体モジュール(11)の正極端子(12p)と主Pバスバー(6)の接合部(7)は、相対的に板厚の小さい方である正極端子(12p)の板幅が相対的に板厚の大きい方である接合部(7)の板幅を上回るように構成され、且つそれぞれの板厚方向が互いに直交するように配置された状態で溶融溶接によって接合されている。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)