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1. (WO2019049472) SPUTTERING DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/049472 국제출원번호: PCT/JP2018/024020
공개일: 14.03.2019 국제출원일: 25.06.2018
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/35 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
34
스퍼터링
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
14
피복형성재료의 진공증착, 스퍼터링, 또는 이온주입에 의한 피복
22
.피복공정에 특징이 있는 것
34
스퍼터링
35
자기장의 적용에 의한 것, 예. 마그네트론 스퍼터링
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
28
21/20~ 21/268에 분류되지 않은 방법이나 장비를 이용한 반도체본체상의 전극 제조
283
전극용의 도전물질 또는 절연물질의 증착
285
기체 또는 증기로부터의 증착. 예, 응결
출원인:
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
발명자:
中野 賢明 NAKANO Katsuaki; JP
柳沼 寛寿 YAGINUMA Kanji; JP
대리인:
特許業務法人青莪 SEIGA PATENT AND TRADEMARK CORPORATION; 東京都品川区西五反田8-1-14 最勝ビル9階 9th Fl., Saisho Bldg., 1-14, Nishi-Gotanda 8-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
우선권 정보:
2017-17248707.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) SPUTTERING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) スパッタリング装置
요약서:
(EN) The present invention provides a sputtering device capable of forming a predetermined thin film inside holes and trenches formed on the surface of a substrate with preferable symmetry and good coverage. This sputtering device is provided with a vacuum chamber in which a target is disposed, and forms a thin film on the surface of a substrate by sputtering while rotating a circular substrate W at a predetermined number of rotations in the vacuum chamber. The sputtering device is also provided with: a stage that rotatably holds a substrate in a state in which the center of the substrate is offset at a predetermined interval from the center of a target to one side in the radial direction; and a shielding plate that is provided between the target and the substrate on the stage to cover the substrate, wherein the shielding plate is formed with an opening that allows the passage of sputter particles scattered from the target to the substrate side, and the opening has a contour in which the opening area is gradually increased from a starting point in the central region of the substrate toward the radially outward direction. The increased amount of the opening area is set according to the distance between the target and the substrate.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de pulvérisation cathodique apte à former un film fin prédéterminé à l’intérieur de trous et de tranchées formés sur la surface d’un substrat avec une symétrie préférable et une bonne couverture. Ce dispositif de pulvérisation cathodique est muni d’une chambre à vide dans laquelle une cible est disposée, et qui forme un film fin sur la surface d’un substrat par pulvérisation cathodique tout en faisant tourner un substrat circulaire W selon un nombre prédéterminé de rotations dans la chambre à vide. Le dispositif de pulvérisation cathodique est également muni : d’un étage qui maintient de manière à pouvoir tourner un substrat sous un état dans lequel le centre du substrat est décalé à un intervalle prédéterminé depuis le centre d’une cible vers un côté dans le sens radial ; et une plaque de protection qui est disposée entre la cible et le substrat sur l’étage pour recouvrir le substrat, la plaque de protection étant formée avec une ouverture qui permet le passage des particules de pulvérisation cathodique diffusées depuis la cible vers le côté substrat, et l’ouverture présentant un contour dans lequel la zone d’ouverture est progressivement accrue depuis un point de départ dans la région centrale du substrat vers le sens radialement vers l’extérieur. La quantité accrue de la surface d’ouverture est définie en fonction de la distance entre la cible et le substrat.
(JA) 基板表面に形成されたホールやトレンチの内部に良好な対称性を持ちながら且つカバレッジ良く所定の薄膜が成膜できるスパッタリング装置を提供する。ターゲットが配置される真空チャンバを備え、真空チャンバ内で、円形の基板Wを所定の回転数で回転させながらスパッタリングして基板表面に薄膜を成膜するスパッタリング装置であって、基板の中心がターゲットの中心から径方向一方に所定間隔でオフセットされた状態でこの基板を回転自在に保持するステージと、ターゲットとステージ上の基板との間に設けられて基板を覆う遮蔽板とを備え、遮蔽板にはターゲットから飛散するスパッタ粒子の基板側への通過を許容する開口部が形成され、開口部は、基板の中心領域を起点としてこの起点から径方向外方へと向かうに従いその開口面積が次第に増加するような輪郭を持ち、開口面積の増加量がターゲットと基板との間の距離に応じて設定される。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)