이 애플리케이션의 일부 콘텐츠는 현재 사용할 수 없습니다.
이 상황이 계속되면 다음 주소로 문의하십시오피드백 및 연락
1. (WO2019046630) SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/046630 국제출원번호: PCT/US2018/048936
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 30.08.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 29/66 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
02
정류, 발진, 증폭 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 구성부품을 포함하고 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 하나의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 집적화 된 수동 회로 소자를 포함하는 것
04
기판이 하나의 반도체본체로 되어 있는 것
10
복수의 개개의 구성부품을 반복한 형태로 포함하는 것
105
전계효과 구성부품을 포함하는 것
출원인:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way Mailstop 1-507 Boise, Idaho 83707, US
발명자:
RAMASWAMY, Durai Vishak Nirmal; US
GANDHI, Ramanathan; US
SILLS, Scott E.; US
대리인:
GUTKE, Steven W.; US
BACA, Andrew J.; US
ZIEGLER, Bailey M.; US
BEZDJIAN, Daniel J.; US
BAKER, Gregory C.; US
FLORES, Jesse M.; US
GUNN, J. Jeffrey; US
HAMER, Katherine A.; US
SCHIERMAN, Elizabeth Herbst; US
WALKOWSKI, Joseph A.; US
WHITLOCK, Nathan E.; US
WATSON, James C.; US
WOODHOUSE, Kyle M.; US
우선권 정보:
16/118,06430.08.2018US
62/552,80931.08.2017US
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES, TRANSISTORS, AND RELATED METHODS FOR CONTACTING METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR, TRANSISTORS ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS POUR METTRE EN CONTACT DES DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEUR À OXYDE MÉTALLIQUE
요약서:
(EN) A semiconductor device is disclosed. The semiconductor device includes a transistor including a source contact, a drain contact, and a channel region including an oxide semiconductor material as the channel material. At least one of the drain contact or the source contact include a conductive material, such as Ruthenium, to reduce the Schottky effects at the interface with the channel material.
(FR) La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur. Le dispositif à semi-conducteur comprend un transistor comprenant un contact de source, un contact de drain et une région de canal comprenant un matériau semi-conducteur à oxyde en tant que matériau de canal. Au moins l'un parmi le contact de drain ou le contact de source comprend un matériau conducteur, tel que le ruthénium, pour réduire les effets de Schottky à l'interface avec le matériau de canal.
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)