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1. (WO2019046197) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/046197 국제출원번호: PCT/US2018/048158
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 27.08.2018
IPC:
H01L 27/22 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
22
전류자기(galvano-magnetic)효과, 예. 홀(Hall) 효과; 를 이용하는 구성부품을 포함하는 것; 유사한 형태의 자계효과를 이용하는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
43
전류 자기(galvano-magnetic) 효과 또는 이것과 유사한 자기 효과를 이용한 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
08
자계 제어 저항
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
43
전류 자기(galvano-magnetic) 효과 또는 이것과 유사한 자기 효과를 이용한 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
12
이들 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
출원인:
QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714, US
발명자:
LI, Xia; US
CHEN, Wei-Chuan; US
HSU, Wah Nam; US
KANG, Seung, Hyuk; US
대리인:
TERRANOVA, Steven, N.; US
우선권 정보:
15/688,21228.08.2017US
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DIE WITH DIFFERENT MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY ARRAYS
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE AYANT DES JONCTIONS À EFFET TUNNEL MAGNÉTIQUES DIFFÉRENTES DANS DES RÉSEAUX DE MÉMOIRE VIVE MAGNÉTO-RÉSISTIVE DIFFÉRENTS
요약서:
(EN) The energy barrier of a magnetic tunnel junction (MTJ) affects its write performance as the amount of current required to switch the magnetic orientation of a free layer of the MTJ is a function of its energy barrier. Thus, by varying the energy barriers of MTJ stacks (204) in different magneto-resistive random access memory (MRAM) arrays (208) in a semiconductor die (200), different MRAM arrays may be used for different types of memory provided in the semiconductor die while still achieving distinct performance specifications. The energy barriers can be varied by varying the materials, heights, widths, and/or other characteristics of the MTJ stacks.
(FR) Dans la présente invention, la barrière énergétique d'une jonction à effet tunnel magnétique (MTJ) a une incidence sur sa performance d'écriture étant donné que la quantité de courant nécessaire à la commutation de l'orientation magnétique d'une couche libre de la MTJ dépend de sa barrière énergétique. Ainsi, par variation des barrières énergétiques d'empilements MTJ (204) dans des réseaux de mémoire vive magnéto-résistive (MRAM) (208) différents dans une puce semi-conductrice (200), des réseaux de MRAM différents peuvent être utilisés pour des types de mémoire différents compris dans la puce semi-conductrice tout en assurant des spécifications de performance distinctes. On peut faire varier les barrières énergétiques par variation des matériaux, des hauteurs, des largeurs et/ou d'autres caractéristiques des empilements MTJ.
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아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)