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1. (WO2019046050) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/046050 국제출원번호: PCT/US2018/047359
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 21.08.2018
IPC:
G11C 16/20 (2006.01) ,G11C 16/26 (2006.01) ,G11C 16/04 (2006.01) ,G06F 12/02 (2006.01)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
10
프로그래밍 또는 데이터 입력회로
20
초기화; 데이터 프리세트; 칩 확인(identification)
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
06
보조회로들, 예, 메모리에 쓰는 회로
26
센싱 읽기 회로; 데이터 출력회로
G SECTION G — 물리학
11
정보저장
C
정적기억
16
소거가능한 프로그램할 수 있는 읽기 전용메모리
02
전기적으로 프로그램할 수 있는 것
04
가변 문턱치(threshold) 트랜지스터를 사용하는 것, 예. FAMOS
G SECTION G — 물리학
06
산술논리연산; 계산; 계수
F
전기에 의한 디지털 데이터처리
12
메모리 시스템 또는 아키텍쳐 내에서 액세스, 어드레스 지정 또는 할당(정보기억 일반 G11)
02
어드레스 지정 또는 할당; 재배정
출원인:
MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way Boise, Idaho 83716-9632, US
발명자:
BINFET, Jeremy; US
HELM, Mark; US
FILIPIAK, William; US
HAWES, Mark; US
대리인:
HARRIS, Philip W.; US
우선권 정보:
15/688,64528.08.2017US
발명의 명칭: (EN) MEMORY ARRAY RESET READ OPERATION
(FR) OPÉRATION DE LECTURE DE RÉINITIALISATION DE RÉSEAU DE MÉMOIRE
요약서:
(EN) Systems, devices, and methods related to reset read are described. A reset read may be employed to initiate a transition of a portion of memory array into a first state or maintain a portion of memory array in a first state, such as a transient state. A reset read may provide a highly-parallelized, energy-efficient option to ensure memory blocks are in the first state. Various modes of reset read may be configured according to different input.
(FR) L'invention concerne des systèmes, des dispositifs et des procédés se rapportant à une lecture de réinitialisation. Une lecture de réinitialisation peut être utilisée pour initier une transition d'une partie du réseau de mémoire dans un premier état ou pour maintenir une partie du réseau de mémoire dans un premier état, tel qu'un état transitoire. Une lecture de réinitialisation peut fournir une option hautement parallélisée et économe en énergie pour garantir que des blocs de mémoire sont dans le premier état. Divers modes de lecture de réinitialisation peuvent être configurés selon différentes entrées.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)