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1. (WO2019045126) 박막 게터, 및 그 제조 방법
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/045126 국제출원번호: PCT/KR2017/009389
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 28.08.2017
IPC:
H01L 21/322 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
322
반도체본체의 내부특성 변경, 예. 내부에 결함형성
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
324
반도체본체의 특성을 변경하기 위한 열처리, 예. 어닐링(annealing), 소결(sintering)
출원인:
한양대학교에리카산학협력단 INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION HANYANG UNIVERSITY ERICA CAMPUS [KR/KR]; 경기도 안산시 상록구 한양대학로 55 55, Hanyangdaehak-ro Sangrok-gu Ansan-si Gyeonggi-do 15588, KR
발명자:
좌용호 CHOA, Yongho; KR
임효령 LIM, Hyoryoung; KR
엄누시아 EOM, Nusia; KR
대리인:
박상열 PARK, Sangyoul; KR
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) THIN FILM GETTER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) GETTER EN COUCHE MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(KO) 박막 게터, 및 그 제조 방법
요약서:
(EN) A thin film getter is provided. The thin film getter comprises a substrate and an absorption layer on the substrate, wherein the absorption layer comprises a getter material for absorbing target gas and an auxiliary material for providing a moving path of the target gas, and the getter material can be divided into a plurality of getter regions by the auxiliary material.
(FR) La présente invention porte sur un getter en couche mince. Le getter en couche mince comprend un substrat et une couche d'absorption sur le substrat, la couche d'absorption comprenant un matériau getter pour absorber un gaz cible et un matériau auxiliaire pour fournir un trajet de déplacement du gaz cible, et le matériau getter peut être divisé en une pluralité de régions getter par le matériau auxiliaire.
(KO) 박막 게터가 제공된다. 기판, 및 상기 기판 상의 흡수층을 포함하되, 상기 흡수층은, 타겟 가스를 흡수하는 게터재, 및 상기 타겟 가스의 이동 경로를 제공하는 보조재를 포함하되, 상기 게터재는, 상기 보조재에 의해 복수의 게터 영역으로 구분될 수 있다.
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 한국어 (KO)
출원언어: 한국어 (KO)