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1. (WO2019044464) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/044464 국제출원번호: PCT/JP2018/030106
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 10.08.2018
IPC:
H04N 5/359 (2011.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H04N 5/369 (2011.01)
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
335
고체 이미지 센서 를 사용하는 것
357
노이즈 처리, 예. 노이즈의 탐지, 정정(correcting), 저감 또는 제거
359
노출로 인해 생성되는 과잉 전하에 적용되는 것, 예. 스미어, 블루밍, 고스트이미지, 크로스토크 또는 화소 사이의 누설
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
14
적외선, 가시광, 단파장의 전자파 또는 입자선 복사에 감응하는 반도체구성부품으로서 이들의 복사선 에너지를 전기적 에너지로 변환하거나 이들의 복사선에 의해 전기적 에너지를 제어하는 것에 특별히 사용되는 것
144
복사선에 의하여 제어되는 장치
146
고체촬상장치(이미지 센서) 구조
H SECTION H — 전기
04
전기통신기술
N
화상통신, 예. 텔레비젼
5
텔레비젼 시스템의 세부
30
광 또는 아날로그 정보를 전기적 정보로 변환시키는 것
335
고체 이미지 센서 를 사용하는 것
369
SSIS 구조; 그와 관련된 회로
출원인:
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 SONY SEMICONDUCTOR SOLUTIONS CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県厚木市旭町四丁目14番1号 4-14-1, Asahicho, Atsugi-shi, Kanagawa 2430014, JP
발명자:
渡部 泰一郎 WATANABE, Taiichiro; JP
山口 哲司 YAMAGUCHI, Tetsuji; JP
佐藤 友亮 SATO, Yusuke; JP
古閑 史彦 KOGA, Fumihiko; JP
대리인:
特許業務法人つばさ国際特許事務所 TSUBASA PATENT PROFESSIONAL CORPORATION; 東京都新宿区新宿1丁目15番9号さわだビル3階 3F, Sawada Building, 15-9, Shinjuku 1-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022, JP
우선권 정보:
2017-16785231.08.2017JP
발명의 명칭: (EN) SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS ET PROCÉDÉ DE COMMANDE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 固体撮像装置および固体撮像装置の制御方法
요약서:
(EN) [Solution] A solid-state imaging device according to an embodiment of the present disclosure is provided with: a first electrode comprising a plurality of independent electrodes; a second electrode arranged opposite to the first electrode; a photoelectric conversion layer provided between the first electrode and the second electrode; and a voltage applying unit for applying different voltages to at least one of the first electrode and the second electrode during a charge storage period and during a non-charge storage period.
(FR) À cet effet, selon un mode de réalisation la présente invention concerne un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs qui comprend : une première électrode comprenant une pluralité d'électrodes indépendantes ; une seconde électrode agencée à l'opposé de la première électrode ; une couche de conversion photoélectrique disposée entre la première électrode et la seconde électrode ; et une unité d'application de tension pour appliquer différentes tensions à au moins une parmi la première électrode et la seconde électrode pendant une période de stockage de charge et pendant une période de stockage de non-charge.
(JA) 【解決手段】本開示の一実施形態の固体撮像装置は、互いに独立する複数の電極からなる第1電極と、第1電極と対向配置された第2電極と、第1電極と第2電極との間に設けられた光電変換層と、第1電極および第2電極の少なくとも一方に対して、電荷蓄積期間および非電荷蓄積期間において、互いに異なる電圧を印加する電圧印加部とを備える。
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지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)