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1. (WO2019043895) DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/043895 국제출원번호: PCT/JP2017/031496
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 31.08.2017
IPC:
H01L 21/304 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
30
21/20~ 21/26에 분류되지 않은 방법이나 장비를 사용한 반도체본체의 처리
302
반도체표면의 물리적 성질 또는 그 형상의 변환, 예. 에칭(etching), 경면연마(polishing), 절단(cutting)
304
기계적 처리. 예, 연마, 경면연마, 절단(cutting)
출원인:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
발명자:
谷本 竜一 TANIMOTO Ryuichi; JP
山崎 一郎 YAMAZAKI Ichiro; JP
御厨 俊介 MIKURIYA Shunsuke; JP
대리인:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) DOUBLE-SIDE POLISHING METHOD FOR SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE POUR TRANCHE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの両面研磨方法
요약서:
(EN) The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer, the method being capable of suppressing occurrence of micro scratches on the front and back surfaces of a polished silicon wafer. The present invention provides a double-side polishing method for a silicon wafer by which the front surface and the back surface of the silicon wafer are polished at the same time by using a double-side polishing apparatus, the method involving continuous implementation of: a first polishing step for performing double-side polishing while supplying, to polishing cloths, a first polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including abrasive grains; a subsequent polishing liquid switching step for stopping the supply of the first polishing liquid and starting the supply of a second polishing liquid comprising an alkali aqueous solution including an aqueous polymer and not including abrasive grains in a state in which the rotation of an upper polishing plate and a lower polishing plate is continued while the polishing cloth of the upper polishing plate and the polishing cloth of the lower polishing plate remain in contact with the front surface and the rear surface of the silicon wafer, respectively; and a subsequent second polishing step for performing double-side polishing while supplying the second polishing liquid to the polishing cloths.
(FR) La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium, le procédé étant apte à supprimer l'apparition de micro-rayures sur les surfaces avant et arrière d'une tranche de silicium polie. La présente invention concerne un procédé de polissage double face pour une tranche de silicium par lequel la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium sont polies en même temps à l'aide d'un appareil de polissage double face, le procédé impliquant la mise en œuvre continue de : une première étape de polissage pour effectuer un polissage double face tout en fournissant, à des tissus de polissage, un premier liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant des grains abrasifs ; une étape de changement de liquide de polissage ultérieure pour arrêter le fourniture du premier liquide de polissage et démarrer la fourniture d'un second liquide de polissage comprenant une solution aqueuse alcaline comprenant un polymère aqueux et ne comprenant pas de grains abrasifs dans un état dans lequel la rotation d'une plaque de polissage supérieure et d'une plaque de polissage inférieure est poursuivie tandis que le tissu de polissage de la plaque de polissage supérieure et le tissu de polissage de la plaque de polissage inférieure restent en contact respectivement avec la surface avant et la surface arrière de la tranche de silicium ; et une seconde étape de polissage ultérieure pour effectuer un polissage double face tout en fournissant le second liquide de polissage aux tissus de polissage.
(JA) 本発明は、研磨後のシリコンウェーハの表裏面にマイクロスクラッチが発生することを抑制できるシリコンウェーハの両面研磨方法を提供する。本発明は、両面研磨装置を用いてシリコンウェーハの表面および裏面を同時に研磨するシリコンウェーハの両面研磨方法であって、砥粒を含むアルカリ水溶液からなる第1の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第1の研磨工程と、その後、シリコンウェーハの表面および裏面に、それぞれ上定盤および下定盤の研磨布を接触させたまま、かつ、上定盤および下定盤の回転を継続した状態で、第1の研磨液の供給を停止するとともに、砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ水溶液からなる第2の研磨液の供給を開始する研磨液切替え工程と、その後、第2の研磨液を研磨布に供給しながら両面研磨を行う第2の研磨工程と、を連続して有する。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)