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1. (WO2019043865) SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH DEVICE, EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/043865 국제출원번호: PCT/JP2017/031343
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 31.08.2017
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01) ,C30B 25/12 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
20
기판상에 반도체 물질의 증착. 예, 에피택셜 (epitaxial) 성장
205
고체를 석출시키기 위해 기상 화합물의 환원 또는 분해를 이용하는 것, 예. 화학적 증착
C SECTION C — 화학; 야금
23
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 화학적 표면처리; 금속재료의 확산처리; 진공증착, 스퍼터링(SPUTTERING), 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복 일반; 금속재료의 방식 또는 이물질 형성 방지 일반
C
금속재료의 피복; 금속 피복재료; 표면 확산, 화학적 전환 또는 치환에 의한 금속재료의 표면처리; 진공증착, 스퍼터링, 이온주입 또는 화학증착에 의한 피복, 일반
16
가스상 화합물의 분해에 의한 화학적 피복, 단 표면재료의 반응생성물을 피복층중에 남기지 않는것, 즉 화학증착법
44
.피복방법에 특징이 있는 것
458
반응 챔버에서 기판을 지지하는 방법에 특징이 있는 것
C SECTION C — 화학; 야금
30
결정성장
B
단결정성장; 공정물질의 일방향고체화 또는 공석정물질의 일방향석출; 물질의 존멜팅(Zone meting)에 의한 정제; 특정구조의 균질상의 다결정물질의 제조; 반도체장치 또는 그 부품을 제조하기 위한 것 H01L; 단결정 또는 특정구조의 균질상 다결정재료의 후처리; 그것을 위한 장치
25
반응가스의 화학반응에 의한 단결정성장, 예. 화학증착성장.
02
.에피택셜층 성장
12
기판지지체 또는 서셉터(Shscepter)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
67
제조 또는 처리중의 반도체 또는 전기 고체 장치 취급에 특별히 적용되는 장치; 반도체 또는 전기 고체 장치 혹은 구성부품의 제조 또는 처리중의 웨이퍼 취급에 특별히 적용되는 장치
683
지지 또는 파지를 위한 것
출원인:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku Tokyo 1058634, JP
발명자:
楢原 和宏 NARAHARA Kazuhiro; JP
대리인:
杉村 憲司 SUGIMURA Kenji; JP
우선권 정보:
발명의 명칭: (EN) SUSCEPTOR, EPITAXIAL GROWTH DEVICE, EPITAXIAL SILICON WAFER MANUFACTURING METHOD, AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) SUSCEPTEUR, DISPOSITIF DE CROISSANCE ÉPITAXIALE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE, ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIALE
(JA) サセプタ、エピタキシャル成長装置、エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法、ならびにエピタキシャルシリコンウェーハ
요약서:
(EN) Provided is a susceptor with which it is possible to increase the circumferential uniformity of the flatness of an epitaxial layer of an epitaxial silicon wafer. A susceptor 100 according to the present invention has a recessed counterbore portion for placing a silicon wafer W, wherein a radial distance L between the center of the susceptor and an opening edge of the counterbore portion varies in the circumferential direction with a period of 90. If the angle of the position at which the radial distance L is a minimum is defined as 0°, the radial distance L has a minimum value L1 at 90°, 180°, and 270°, and the radial distance L has a maximum value L2 at 45°, 135°, 225°, and 315°. The susceptor 100, as viewed from above, has an opening edge 110C defining four elliptic arcs protruding radially outward.
(FR) L'invention concerne un suscepteur avec lequel il est possible d'augmenter l'uniformité circonférentielle de la planéité d'une couche épitaxiale d'une tranche de silicium épitaxiale. Un suscepteur 100 selon la présente invention comprend une partie de lamage en creux pour placer une tranche de silicium W, une distance radiale L entre le centre du suscepteur et un bord d'ouverture de la partie de lamage variant dans la direction circonférentielle selon une période de 90. Si l'angle de la position à laquelle la distance radiale L est un minimum est défini comme 0°, la distance radiale L a une valeur minimale L1 à 90°, 180°, et 270°, et la distance radiale L a une valeur maximale L2 à 45°, 135°, 225° et 315°. Le suscepteur 100, vu de dessus, possède un bord d'ouverture 110C définissant quatre arcs elliptiques faisant saillie radialement vers l'extérieur.
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層の平坦度の周方向均一性を高めることのできるサセプタを提供する。 本発明によるサセプタ100は、シリコンウェーハWが載置される凹形状の座ぐり部が設けられ、サセプタの中心と座ぐり部の開口縁との間の径方向距離Lが90度周期で周方向に変動するとともに、径方向距離Lが最小となる位置の角度を0度としたときに、90度、180度、270度のそれぞれで径方向距離Lが最小値Lとなると共に、45度、135度、225度、315度のそれぞれで径方向距離Lが最大値Lとなり、サセプタ100を上面視したときの開口縁110Cが、径方向外側を凸とする4つの楕円弧を描く。
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공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)