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1. (WO2019043715) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/043715 국제출원번호: PCT/IL2018/050971
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 02.09.2018
IPC:
H01B 1/04 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 29/16 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
B
케이블; 도체; 절연체; 도전성, 절연성 또는 유전성 특성에 대한 재료의 선택
1
도전재료를 특징으로 하는 도체 또는 도전물체; 도체로서의 재료의 선택
04
주로 카본-실리콘 화합물, 카본 또는 실리콘으로서 되는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
02
반도체 본체
12
구성재료에 특징이 있는 것
16
도핑물질 또는 타불순물을 제외하고 비결합형태로 주기율표상의 제Ⅳ족 원소만을 포함하는 것
출원인:
TECHNION RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION LTD. [IL/IL]; Senate House Technion City 3200000 Haifa, IL
발명자:
KALISH, Rafi; IL
TORDJMAN, Moshe; IL
대리인:
AVITAL, Avihu; BEN-AMI & ASSOCIATES P.O Box 94 7610002 Rehovot, IL
우선권 정보:
62/553,87103.09.2017US
발명의 명칭: (EN) TRANSITION-METAL OXIDES-COATED HYDROGEN-TERMINATED DIAMOND SURFACE AND USES THEREOF
(FR) SURFACE DE DIAMANT À TERMINAISON D'HYDROGÈNE REVÊTUE D'OXYDES DE MÉTAUX DE TRANSITION ET UTILISATIONS ASSOCIÉES
요약서:
(EN) The present invention provides a conducting material comprising a carbon-based material selected from a diamond or an insulating diamond-like carbon, having a hydrogen- terminated surface and a layer of tungsten trioxide, rhenium trioxide, or chromium oxide coating said hydrogen-terminated surface. Such conducting materials are useful in the fabrication of electronic components, electrodes, sensors, diodes, field effect transistors, and field emission electron sources.
(FR) La présente invention concerne un matériau conducteur comprenant un matériau à base de carbone sélectionné parmi un diamant ou un carbone de type diamant isolant, ayant une surface à terminaison hydrogène et une couche de trioxyde de tungstène, de trioxyde de rhénium ou d'oxyde de chrome recouvrant ladite surface à terminaison hydrogène. Ces matériaux conducteurs sont utiles dans la fabrication de composants électroniques, d'électrodes, de capteurs, de diodes, de transistors à effet de champ et de sources d'électrons à émission de champ.
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 영어 (EN)
출원언어: 영어 (EN)