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1. (WO2019043511) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
국제사무국에 기록된 최신 서지정보    정보 제출

공개번호: WO/2019/043511 국제출원번호: PCT/IB2018/056334
공개일: 07.03.2019 국제출원일: 22.08.2018
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,G02F 1/1368 (2006.01) ,G09F 9/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/32 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01)
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
29
정류, 증폭, 발진 또는 스위칭에 특별히 적용되는 반도체 장치이며, 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽을 가지는 것; 적어도 1개의 전위 장벽 또는 표면 장벽(예. PN접합 공핍층 또는 캐리어 집중층)을 가지는 캐패시터 또는 저항; 반도체 본체 또는 전극의 세부
66
반도체장치의 형(types)
68
정류, 증폭 또는 스위칭 되는 전류가 흐르지 않는 하나의 전극에 단지 전위를 부여하거나, 단지 전류을 제공하는 것만으로 제어되는 것
76
유니폴라(unipolar) 장치
772
전계 효과 트랜지스터
78
절연된 게이트에 의해 발생되는 전계효과를 갖는 것
786
박막트랜지스터(thin-film transistors)
G SECTION G — 물리학
02
광학
F
광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅, 변조 또는 복조, 의 매체의 광학적성질이 변화에 의하여 광학적 작용이 변화하는 장치 또는 배치; 그와 같은 동작을 위한 기술 또는 처리; 주파수변환; 비선형 광학; 광학적 논리소자; 광학적 아날로그/디지털 변환기
1
독립된 광원으로부터 도달한 광의 강도, 색, 위상, 편광 또는 방향의 제어를 위한 장치 또는 배치, 예. 스위칭, 게이팅 또는 변조 비선형 광학
01
강도, 위상, 편광 또는 색의 제어를 위한 것
13
액정에 기초한 것, 예. 하나의 액정 표시 셀
133
구조배치 ; 액정셀의 작동 ; 회로배치
136
반도체층 또는 기판과 구조적으로 결합된 액정셀, 예. 집적회로의 일부를 구성하는 셀
1362
능동매트릭스 어드레스 셀(active matrix addressed cells)
1368
스위칭 소자가 3단자 장치인 것
G SECTION G — 물리학
09
교육; 암호방법; 전시; 광고; 봉인
F
표시; 광고; 사인; 라벨 또는 명찰; 시일
9
정보가 개별소자의 선택 또는 조합에 의하여 지지체상에 형성되는 가변정보용의 표시장치
30
필요한 문자가 개개요소를 조합하는 것에 의하여 형성되는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
21
반도체 장치 또는 고체 장치 또는 그러한 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장비
02
반도체장치 또는 그 부품의 제조나 처리
04
적어도 하나의 전위장벽 또는 표면장벽(예. PN접합, 공핍층, 캐리어 밀집층)을 갖는 장치
18
불순물(예, 도우핑 물질)을 포함하고 있거나 포함하지 않는 주기율표 제4족의 원소 또는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물로 구성된 반도체본체를 갖는 장치
334
유니폴라(unipolar)형 장치를 제조하기 위한 다단계공정
335
전계효과 트랜지스터(FET)
336
절연게이트를 갖는 것
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
27
하나의 공통기판내 또는 기판상에 형성된 복수의 반도체구성부품 또는 기타 고체구성부품으로 구성된 장치
28
능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 구성부품을 포함하는 것
32
광방출에 특별히 적용되는 구성부품을 가지는 것, 예.유기 발광 다이오드를 사용한 플랫 패널 디스플레이
H SECTION H — 전기
01
기본적 전기소자
L
반도체 장치; 다른 곳에 속하지 않는 전기적 고체 장치
51
능동 부분으로서 유기 재료를 이용하거나 능동 부분으로서 유기 재료와 다른 재료와의 조합을 이용하는 고체 장치; 그들 장치 또는 그 부품의 제조 또는 처리에 특별히 적용되는 방법 또는 장치
50
광방출에 특별히 적용되는 것, 예. 유기 발광 다이오드(OLED) 또는 고분자 발광 다이오드 (PLED)
출원인:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
발명자:
神長正美 JINTYOU, Masami; --
黒崎大輔 KUROSAKI, Daisuke; --
大野正勝 OHNO, Masakatsu; --
肥塚純一 KOEZUKA, Junichi; JP
우선권 정보:
2017-16813701.09.2017JP
발명의 명칭: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE
(JA) 半導体装置、及び表示装置
요약서:
(EN) Provided is a highly reliable semiconductor device. A semiconductor device in which a second insulating layer is located above a first insulating layer, a semiconductor layer is located between the first insulating layer and the second insulating layer, a third insulating layer is located above the second insulating layer, a fourth insulating layer is located above the third insulating layer, a first conductive layer is located between the third insulating layer and the fourth insulating layer and includes a region that overlaps the semiconductor layer, the third insulating layer includes a region that contacts a lower surface of the first conductive layer and a region that contacts the fourth insulating layer, the fourth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the first conductive layer, a fifth insulating layer contacts an upper surface and a side surface of the semiconductor layer and has a first opening and a second opening in a region that overlaps the semiconductor layer but does not overlap the first conductive layer, a second conductive layer and a third conductive layer are electrically connected to the semiconductor layer at the first opening and the second opening, respectively, the third and fifth insulating layers include a metal as well as oxygen or nitrogen, and a sixth insulating layer has a region that contacts an upper surface and a side surface of the fifth insulating layer and a region that contacts the first insulating layer.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur hautement fiable. Un dispositif à semi-conducteur dans lequel une seconde couche isolante est située au-dessus d'une première couche isolante, une couche semi-conductrice est située entre la première couche isolante et la seconde couche isolante, une troisième couche isolante est située au-dessus de la seconde couche isolante, une quatrième couche isolante est située au-dessus de la troisième couche isolante, une première couche conductrice est située entre la troisième couche isolante et la quatrième couche isolante et comprend une région qui chevauche la couche semi-conductrice, la troisième couche isolante comprend une région qui entre en contact avec une surface inférieure de la première couche conductrice et une région qui est en contact avec la quatrième couche isolante, la quatrième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la première couche conductrice, une cinquième couche isolante entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la couche semi-conductrice et a une première ouverture et une seconde ouverture dans une région qui chevauche la couche semi-conductrice mais ne chevauche pas la première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une troisième couche conductrice sont électroconnectées à la couche semi-conductrice au niveau de la première ouverture et de la seconde ouverture, respectivement, les troisième et cinquième couches isolantes comprennent un métal ainsi que de l'oxygène ou de l'azote, et une sixième couche isolante a une région qui entre en contact avec une surface supérieure et une surface latérale de la cinquième couche isolante et une région qui est en contact avec la première couche isolante.
(JA) 要約書 信頼性の高い半導体装置を提供する。 第2の絶縁層は第1の絶縁層上に位置し、半導体層は第1の絶縁層と第2の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第2の絶縁層上に位置し、 第4の絶縁層は第3の絶縁層上に位置し、 第1の導電層は 半導体層と重なる領域を有し、 かつ第3の絶縁層と第4の絶縁層との間に位置し、 第3の絶縁層は第 1の導電層の下面に接する領域と、 第4の絶縁層と接する領域とを有し、 第4の絶縁層は第1の導電 層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層の上面及び側面に接し、 第5の絶縁層は半導体層 と重なり、 かつ第1の導電層と重ならない領域に第1の開口及び第2の開口を有し、 第2の導電層及 び第3の導電層はそれぞれ第1の開口及び第2の開口において半導体層と電気的に接続され、第3乃 至第5の絶縁層は金属と、 酸素又は窒素とを有し、 第6の絶縁層は第5の絶縁層の上面及び側面に接 する領域と、第1の絶縁層と接する領域とを有する半導体装置とする。
front page image
지정국: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
아프리카지역 지식재산권기구(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
유라시아 특허청 (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
유럽 특허청(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
공개언어: 일본어 (JA)
출원언어: 일본어 (JA)